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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0012378 (2020-02-03) | |
공개번호 | 10-2021-0098627 (2021-08-11) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200012378 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
본 발명은 양극재 내부에 도핑된 금속의 함량을 분석하는 방법에 관한 것으로, 양극내 내부와 외부에 존재하는 금속 이온의 함량을 구분하여 분석함으로써 양극재의 성능을 극대화할 수 있고, 제품의 개발, 생산 및 관리에 기여할 수 있다.
1) 시료를 30 내지 50%(v/v) 농도의 염산과 반응시키는 단계;2) 5 내지 20%(v/v)염산 수용액을 첨가하는 단계;3) 과산화수소를 첨가하여 반응시키는 단계;4) 스칸듐(Sc)을 첨가하는 단계;5) 불용분을 분리하는 단계; 및6) 금속의 농도를 ICP-OES로 측정하는 단계를 포함하는 양극재 내 금속 함량의 분석 방법.
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