최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2020-0012376 (2020-02-03) | |
공개번호 | 10-2021-0098625 (2021-08-11) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200012376 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
법적상태 | 공개 |
본 발명은 양극재에 도핑된 금속의 함량을 분석하는 방법에 관한 것으로, 양극재의 도핑에 실제적으로 기여한 금속의 함량을 분석할 수 있으므로 양극재의 성능을 극대화할 수 있고, 제품의 개발, 생산 및 관리에 기여할 수 있다.
1) 시료에 30 내지 50%(v/v) 농도의 염산을 가하여 가열 반응시키는 단계;2) 5 내지 20%(v/v)염산 수용액을 첨가하는 단계;3) 과산화수소수를 첨가하여 반응시키는 단계;4) 스칸듐(Sc)을 첨가하는 단계;5) 불용분을 분리하는 단계; 및6) 금속의 농도를 ICP-OES로 측정하는 단계를 포함하는 양극재에 도핑된 금속 함량의 분석 방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.