초록

반도체층 제조방법이 제공된다. 상기 반도체층 제조방법은, 기판을 준비하는 단계, 및 인듐(In)을 포함하는 제1 전구체 및 제1 반응 소스를 반응시키는 제1 유닛 공정(first unit process), 갈륨(Ga)을 포함하는 제2 전구체 및 제2 반응 소스를 반응시키는 제2 유닛 공정(second unit process)을 수행하여, 상기 기판 상에 상기 인듐 및 상기 갈륨을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

대표청구항 ▼

기판을 준비하는 단계; 및인듐(In)을 포함하는 제1 전구체 및 제1 반응 소스를 반응시키는 제1 유닛 공정(first unit process), 갈륨(Ga)을 포함하는 제2 전구체 및 제2 반응 소스를 반응시키는 제2 유닛 공정(second unit process)을 수행하여, 상기 기판 상에 상기 인듐 및 상기 갈륨을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제1 전구체는 아래의 <화학식 1>로 표현되는 화합물을 포함하고, 상기 제2 전구체는 아래의 <화학식 2>로 표현되는 화합물을 포함하는 반도체

기판을 준비하는 단계; 및인듐(In)을 포함하는 제1 전구체 및 제1 반응 소스를 반응시키는 제1 유닛 공정(first unit process), 갈륨(Ga)을 포함하는 제2 전구체 및 제2 반응 소스를 반응시키는 제2 유닛 공정(second unit process)을 수행하여, 상기 기판 상에 상기 인듐 및 상기 갈륨을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제1 전구체는 아래의 <화학식 1>로 표현되는 화합물을 포함하고, 상기 제2 전구체는 아래의 <화학식 2>로 표현되는 화합물을 포함하는 반도체층 제조방법. <화학식 1><화학식 2>