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[한국특허] MEMS 압저항 압력센서 및 그 제조방법
MEMS piezoresistive pressure sensor and method for manufacturing the same
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IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G01L-019/14
  • G01L-009/00
출원번호 10-2020-0069264 (2020-06-08)
등록번호 10-2297944-0000 (2021-08-30)
DOI http://doi.org/10.8080/1020200069264
발명자 / 주소
  • 김경원 / 대전광역시 유성구 엑스포로 ***, ***동 ***호 (전민동, 엑스포아파트)
  • 이태준 / 경기도 고양시 덕양구 토당로***번길 **-**, ***호 (토당동, 백제*차빌라)
출원인 / 주소
  • 김경원 / 대전광역시 유성구 엑스포로 ***, ***동 ***호 (전민동, 엑스포아파트)
대리인 / 주소
  • 한성근
심사청구여부 있음 (2020-06-08)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명에 따른 MEMS 압저항 압력센서는 SOI기판을 사용하여 스토퍼로 둘러싸인 진공챔버 또는 챔버를 형성함으로써, 멤브레인의 두께가 균일하고 전기적 기계적 특성이 우수하며, 압저항이 정확한 위치에 형성되는 장점이 있다.결국, 특성과 신뢰성이 우수하고, 균일성이 우수하며, 경박단소하고 가격이 저렴한 MEMS 압저항 압력센서를 제공하게 된다.

대표청구항

실리콘기판(100) 상에 형성되며, 평면적으로 스토퍼(400)가 둘러싸고 있는 진공챔버(300); 상기 진공챔버(300)의 상부에 위치하며, 단결정 실리콘으로 이루어진 멤브레인(200); 평면적으로 상기 스토퍼(400)의 바깥영역에 위치하며, 두께 및 수직적 위치가 상기 진공챔버(300)의 높이 및 수직적 위치와 동일하거나 각각 ±1㎛ 차이 이내인 실리콘기판(100) 상의 매몰산화막(110);상기 매몰산화막(110)의 상부에 위치하며, 두께 및 수직적 위치가 상기 멤브레인(200)의 두께 및 수직적 위치와 동일하거나 각각 ±1㎛ 차

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