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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0072260 (2020-06-15) | |
공개번호 | 10-2021-0155136 (2021-12-22) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200072260 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 하기 화학식 1로 또는 화학식 2로 표시되는 금속 함유 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 함유 박막 형성용 전구체와 상기 전구체를 이용한 금속 함유 박막 및 이의 형성 방법 및 상기 금속 함유 박막을 포함하는 반도체 소자에 관한 것이다.[화학식 1][화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1 내지 2에서 M은 Ti, Zr, Hf, Si, Ge, Sn 중 어느 하나이며, L은 각각 독립적으로 수소원자, C1-C6의 알킬기, OR, NHR, NRR', 또는 CF3이며, R 및 R'는 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1-
하기 화학식 1로 또는 화학식 2로 표시되는 금속 함유 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 함유 박막 형성용 전구체.[화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1 내지 2에서 M은 Ti, Zr, Hf, Si, Ge, Sn 중 어느 하나이며, L은 각각 독립적으로 수소원자, C1-C6의 알킬기, OR, NHR, NRR', 또는 CF3이며, R 및 R'는 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1-C6의 알킬기, 알케닐기, 비닐기, 또는 알릴기이고, X는 O 또는 NHR이다.
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