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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0141628 (2019-11-07) | |
공개번호 | 10-2020-0054882 (2020-05-20) | |
등록번호 | 10-2339851-0000 (2021-12-10) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020180137677 (2018-11-09) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190141628 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-11-07) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 박막 증착용 화합물이 개시된다. 반도체 박막 증착용 화합물은 사이클로헥사다이엔 또는 인덴 구조를 포함한 고리형 리간드(L)와 비닐기의 조합으로 이루어진 금속 전구체가 하기 화학식으로 정의되는 화합물인 것을 특징으로 한다.<화학식>여기서, M은 Ti, Zr, Hf 중 어느 하나로 선택되고, (L)은 Cp, EtCp, Cp* 중 어느 하나로 선택되며, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9 및 R10은 H, C1 내지 C3 알킬 중에서 선택되고, X는 1 또는 2, n은 금속의 원자가
사이클로헥사다이엔 또는 인덴 구조를 포함한 고리형 리간드(L)와 비닐기의 조합으로 이루어진 금속 전구체가 하기 화학식으로 정의되는 화합물이고,상기 화합물은,ZrCp2(OCH2CHCH2)2, ZrCp(O(CH3)2CHCH2)3, TiCp2(OCH2CHCH2)2 및 TiCp(O(CH3)2CHCH2)3 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착용 화합물.<화학식>(여기서, M은 Ti, Zr 중 어느 하나로 선택되고, (L)은 Cp, Cp* 중 어느 하나로 선택되며, R1, R2, R3, R4, R5, R6
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