초록 ▼

반도체 소자를 제공한다. 이 반도체 소자는 하부 구조물; 상기 하부 구조물 상에서, 수직 방향으로 교대로 적층되는 게이트 전극들 및 층간 절연 층들을 포함하는 적층 구조물; 상기 수직 방향으로 상기 적층 구조물을 관통하는 채널 홀; 상기 채널 홀 내에서, 상기 수직 방향으로 연장되는 코어 영역; 상기 코어 영역의 측면 상에 배치되고, 상기 게이트 전극들 및 상기 층간 절연 층들과 마주보는 채널 층; 상기 채널 층과 상기 게이트 전극들 사이에서, 차례로 배치되는 제1 유전체 층, 정보 저장 층 및 제2 유전체 층, 상기 제1 유전체

반도체 소자를 제공한다. 이 반도체 소자는 하부 구조물; 상기 하부 구조물 상에서, 수직 방향으로 교대로 적층되는 게이트 전극들 및 층간 절연 층들을 포함하는 적층 구조물; 상기 수직 방향으로 상기 적층 구조물을 관통하는 채널 홀; 상기 채널 홀 내에서, 상기 수직 방향으로 연장되는 코어 영역; 상기 코어 영역의 측면 상에 배치되고, 상기 게이트 전극들 및 상기 층간 절연 층들과 마주보는 채널 층; 상기 채널 층과 상기 게이트 전극들 사이에서, 차례로 배치되는 제1 유전체 층, 정보 저장 층 및 제2 유전체 층, 상기 제1 유전체 층은 상기 게이트 전극들과 인접하고, 상기 2 유전체 층은 상기 채널 층과 접촉하고; 및 상기 제1 유전체 층과 상기 게이트 전극들 사이에 개재된 부분들을 포함하는 반 강유전체 층(anti-ferroelectric layer)을 포함한다. 상기 반 강유전체 층은 테트라고날 상(tetragonal phase)을 갖는 반 강유전체 물질로 형성된다.

대표청구항 ▼

하부 구조물;상기 하부 구조물 상에서, 수직 방향으로 교대로 적층되는 게이트 전극들 및 층간 절연 층들을 포함하는 적층 구조물;상기 수직 방향으로 상기 적층 구조물을 관통하는 채널 홀;상기 채널 홀 내에서, 상기 수직 방향으로 연장되는 코어 영역;상기 코어 영역의 측면 상에 배치되고, 상기 게이트 전극들 및 상기 층간 절연 층들과 마주보는 채널 층;상기 채널 층과 상기 게이트 전극들 사이에서, 차례로 배치되는 제1 유전체 층, 정보 저장 층 및 제2 유전체 층, 상기 제1 유전체 층은 상기 게이트 전극들과 인접하고, 상기 제2 유전

하부 구조물;상기 하부 구조물 상에서, 수직 방향으로 교대로 적층되는 게이트 전극들 및 층간 절연 층들을 포함하는 적층 구조물;상기 수직 방향으로 상기 적층 구조물을 관통하는 채널 홀;상기 채널 홀 내에서, 상기 수직 방향으로 연장되는 코어 영역;상기 코어 영역의 측면 상에 배치되고, 상기 게이트 전극들 및 상기 층간 절연 층들과 마주보는 채널 층;상기 채널 층과 상기 게이트 전극들 사이에서, 차례로 배치되는 제1 유전체 층, 정보 저장 층 및 제2 유전체 층, 상기 제1 유전체 층은 상기 게이트 전극들과 인접하고, 상기 제2 유전체 층은 상기 채널 층과 접촉하고; 및상기 제1 유전체 층과 상기 게이트 전극들 사이에 개재된 부분들을 포함하는 반 강유전체 층(anti-ferroelectric layer)을 포함하되,상기 반 강유전체 층은 테트라고날 상(tetragonal phase)을 갖는 반 강유전체 물질로 형성되는 반도체 소자.