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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0098184 (2020-08-05) | |
공개번호 | 10-2022-0017771 (2022-02-14) | |
등록번호 | 10-2496530-0000 (2023-02-01) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200098184 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-08-05) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 베타 산화갈륨의 결함 제거방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 베타 산화갈륨의 결함 제거방법은 (a) 단결정 벌크 베타 산화갈륨 기판(bulk β-Ga2O3substrate}으로부터 베타 산화갈륨 결정을 기계적으로 박리하는 단계(S100), (b) 박리된 베타 산화갈륨 결정의 일면에 금속층을 접합하는 단계(S200), (c) 금속판을 캐소드(cathode)로 하고, 금속층이 접합된 베타 산화갈륨 결정을 애노드(anode)로 하여, 캐소드와 애노드를 전원에 연결하는 단계(S300), 및 (d) 캐소드와 애노드를 전
(a) 단결정 벌크 베타 산화갈륨 기판(bulk β-Ga2O3 substrate}으로부터 베타 산화갈륨 결정을 기계적으로 박리하는 단계;(b) 박리된 상기 베타 산화갈륨 결정의 일면에 금속층을 접합하는 단계;(c) 금속판을 캐소드(cathode)로 하고, 상기 금속층이 접합된 상기 베타 산화갈륨 결정을 애노드(anode)로 하여, 상기 캐소드와 상기 애노드를 전원에 연결하는 단계; 및(d) 상기 캐소드와 상기 애노드를 전해질 용액 내에 침지시키고, 상기 베타 산화갈륨 결정에 자외선(UV)를 조사하면서 전압을 인가하는 단계;를 포함하
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