본 연구에서는 대면적 박막을 제작할 수 있고 용액 공법보다 더 균일한 박막을 제작할 수 있는 Mist-CVD를 사용하여 CsPbI2Br을 용액으로, 질소를 Carrier gas, Dilution gas에 사용하여 CsPbI2Br 박막을 제작하였고 몰동도, Carrier gas의 유량 Dilution gas의 유량, 성장온도 및 성장시간이 CsPbI2Br 박막 성장에 미치는 영향을 파악하고, 실험조건별 성장된 CsPbI2Br 박막의 구조, 표면 및 광학적 특성을 평가하였다. 제작된 CsPbI2Br 박막의 광학적 특성은 UV-Vis Spectrometer (Shimadzu, UV-2600)를 통해 측정하였고 FE-SEM(JEOL, JSM-7610F)를 통해 표면morphology 및 두께 측정하였으며 X-ray diffraction(Rigaku, Smartlab 3)를 통해 결정성 분석하여 Mist-CVD를 이용한 CsPbI2Br 박막 제작에 가장 적합한 조건을 도출하고자 했다. 0.4 M 68℃, 35 min, 200 cc/min의 Carrier gas 의 유량, 1500 cc/min Dilution gas 의 유량에서 300 ~ 650 nm 파장대의 광투과율이 0.3 ~ 1.2 % 대를 유지했고 ...
본 연구에서는 대면적 박막을 제작할 수 있고 용액 공법보다 더 균일한 박막을 제작할 수 있는 Mist-CVD를 사용하여 CsPbI2Br을 용액으로, 질소를 Carrier gas, Dilution gas에 사용하여 CsPbI2Br 박막을 제작하였고 몰동도, Carrier gas의 유량 Dilution gas의 유량, 성장온도 및 성장시간이 CsPbI2Br 박막 성장에 미치는 영향을 파악하고, 실험조건별 성장된 CsPbI2Br 박막의 구조, 표면 및 광학적 특성을 평가하였다. 제작된 CsPbI2Br 박막의 광학적 특성은 UV-Vis Spectrometer (Shimadzu, UV-2600)를 통해 측정하였고 FE-SEM(JEOL, JSM-7610F)를 통해 표면morphology 및 두께 측정하였으며 X-ray diffraction(Rigaku, Smartlab 3)를 통해 결정성 분석하여 Mist-CVD를 이용한 CsPbI2Br 박막 제작에 가장 적합한 조건을 도출하고자 했다. 0.4 M 68℃, 35 min, 200 cc/min의 Carrier gas 의 유량, 1500 cc/min Dilution gas 의 유량에서 300 ~ 650 nm 파장대의 광투과율이 0.3 ~ 1.2 % 대를 유지했고 밴드 갭은 1.91 eV이며 박막표면에 입자형태, 핀홀등 결함들이 제일 적어 품질이 가장 좋은 박막을 합성하였다. 또한 스프레이 코팅 사용하여 0.4 M CsPbI2Br 용액으로 130℃, 10 min에서 박막 품질이 제일 좋은 CsPbI2Br 박막 제조했고 Mist-CVD으로 제작한 박막과 비교해봤다. 스프레이 코팅, Mist-CVD로 제작한 CsPbI2Br 박막은 같은 결정성과, 비슷한 에너지 밴드 갭을 확인했고 Mist-CVD로 제작한 CsPbI2Br 박막은 스프레이 코팅으로 제작한 CsPbI2Br 박막보다 더 낮은 광 투과도를 보였으며 박막의 표면에서는 결함이 더 적게 나타났고 스프레이 코팅으로 제작한 CsPbI2Br 박막보다 더 두꺼운 박막이지만 높은 균일성을 가졌다.
본 연구에서는 대면적 박막을 제작할 수 있고 용액 공법보다 더 균일한 박막을 제작할 수 있는 Mist-CVD를 사용하여 CsPbI2Br을 용액으로, 질소를 Carrier gas, Dilution gas에 사용하여 CsPbI2Br 박막을 제작하였고 몰동도, Carrier gas의 유량 Dilution gas의 유량, 성장온도 및 성장시간이 CsPbI2Br 박막 성장에 미치는 영향을 파악하고, 실험조건별 성장된 CsPbI2Br 박막의 구조, 표면 및 광학적 특성을 평가하였다. 제작된 CsPbI2Br 박막의 광학적 특성은 UV-Vis Spectrometer (Shimadzu, UV-2600)를 통해 측정하였고 FE-SEM(JEOL, JSM-7610F)를 통해 표면morphology 및 두께 측정하였으며 X-ray diffraction(Rigaku, Smartlab 3)를 통해 결정성 분석하여 Mist-CVD를 이용한 CsPbI2Br 박막 제작에 가장 적합한 조건을 도출하고자 했다. 0.4 M 68℃, 35 min, 200 cc/min의 Carrier gas 의 유량, 1500 cc/min Dilution gas 의 유량에서 300 ~ 650 nm 파장대의 광투과율이 0.3 ~ 1.2 % 대를 유지했고 밴드 갭은 1.91 eV이며 박막표면에 입자형태, 핀홀등 결함들이 제일 적어 품질이 가장 좋은 박막을 합성하였다. 또한 스프레이 코팅 사용하여 0.4 M CsPbI2Br 용액으로 130℃, 10 min에서 박막 품질이 제일 좋은 CsPbI2Br 박막 제조했고 Mist-CVD으로 제작한 박막과 비교해봤다. 스프레이 코팅, Mist-CVD로 제작한 CsPbI2Br 박막은 같은 결정성과, 비슷한 에너지 밴드 갭을 확인했고 Mist-CVD로 제작한 CsPbI2Br 박막은 스프레이 코팅으로 제작한 CsPbI2Br 박막보다 더 낮은 광 투과도를 보였으며 박막의 표면에서는 결함이 더 적게 나타났고 스프레이 코팅으로 제작한 CsPbI2Br 박막보다 더 두꺼운 박막이지만 높은 균일성을 가졌다.
In this study, a CsPbI2Br thin film was manufactured using Mist-CVD, which can produce a large-area thin film and can produce a more uniform thin film than the solution method, using CsPbI2Br as a solution and nitrogen as a carrier gas and dilution gas. The effect of carrier gas flow rate, dilution ...
In this study, a CsPbI2Br thin film was manufactured using Mist-CVD, which can produce a large-area thin film and can produce a more uniform thin film than the solution method, using CsPbI2Br as a solution and nitrogen as a carrier gas and dilution gas. The effect of carrier gas flow rate, dilution gas flow rate, growth temperature, and growth time on the growth of the CsPbI2Br thin film was investigated, and the structure, surface and optical properties of the grown CsPbI2Br thin film were evaluated for each experimental condition. The optical properties of the produced CsPbI2Br thin film were measured through UV-Vis Spectrometer (Shimadzu, UV-2600), and surface morphology and thickness were measured through FE-SEM (JEOL, JSM-7610F), and X-ray diffraction (Rigaku, Smartlab 3). ) through crystallinity analysis to derive the most suitable conditions for manufacturing CsPbI2Br thin films using mist-CVD. At a flow rate of 0.4 M, 68℃, 35 min, 200 cc/min of carrier gas, and 1500 cc/min of dilution gas, the light transmittance in the 300 – 650 nm wavelength band was maintained at 0.3 to 1.2 %, and the band gap was 1.91 eV. The thin film with the best quality was synthesized with the fewest defects such as particle shape and pinholes on the surface of the thin film. In addition, a CsPbI2Br thin film with the best film quality was prepared using a 0.4 M CsPbI2Br solution at 130℃ for 10 min using spray coating and compared with the thin film produced by Mist-CVD. The CsPbI2Br thin film produced by spray coating and Mist-CVD showed the same crystallinity and similar energy band gap. showed fewer defects, and although it was thicker than the CsPbI2Br film produced by spray coating, it had high uniformity.
In this study, a CsPbI2Br thin film was manufactured using Mist-CVD, which can produce a large-area thin film and can produce a more uniform thin film than the solution method, using CsPbI2Br as a solution and nitrogen as a carrier gas and dilution gas. The effect of carrier gas flow rate, dilution gas flow rate, growth temperature, and growth time on the growth of the CsPbI2Br thin film was investigated, and the structure, surface and optical properties of the grown CsPbI2Br thin film were evaluated for each experimental condition. The optical properties of the produced CsPbI2Br thin film were measured through UV-Vis Spectrometer (Shimadzu, UV-2600), and surface morphology and thickness were measured through FE-SEM (JEOL, JSM-7610F), and X-ray diffraction (Rigaku, Smartlab 3). ) through crystallinity analysis to derive the most suitable conditions for manufacturing CsPbI2Br thin films using mist-CVD. At a flow rate of 0.4 M, 68℃, 35 min, 200 cc/min of carrier gas, and 1500 cc/min of dilution gas, the light transmittance in the 300 – 650 nm wavelength band was maintained at 0.3 to 1.2 %, and the band gap was 1.91 eV. The thin film with the best quality was synthesized with the fewest defects such as particle shape and pinholes on the surface of the thin film. In addition, a CsPbI2Br thin film with the best film quality was prepared using a 0.4 M CsPbI2Br solution at 130℃ for 10 min using spray coating and compared with the thin film produced by Mist-CVD. The CsPbI2Br thin film produced by spray coating and Mist-CVD showed the same crystallinity and similar energy band gap. showed fewer defects, and although it was thicker than the CsPbI2Br film produced by spray coating, it had high uniformity.
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