초록 ▼

본 발명은 에칭 구멍의 형상을 개선하며 또한 마스크 선택비를 향상시키는 것을 그 과제로 한다.본 발명에 따른 에칭 처리 방법은, 화합물을 준비하는 것과, 화합물이 존재하는 환경에서, 마스크막이 형성된 에칭 대상을 에칭하는 것을 포함하고, 에칭 대상을 에칭하는 것은, 에칭 대상이 질화규소(SiN)를 함유할 때에, 수소(H) 및 불소(F)가 존재하는 환경에서 에칭 대상을 에칭하는 공정을 포함하며, 에칭 대상이 규소(Si)를 함유할 때에, 질소(N), 수소(H) 및 불소(F)가 존재하는 환경에서 에칭 대상을 에칭하는 공정을 포함하고, 화

본 발명은 에칭 구멍의 형상을 개선하며 또한 마스크 선택비를 향상시키는 것을 그 과제로 한다.본 발명에 따른 에칭 처리 방법은, 화합물을 준비하는 것과, 화합물이 존재하는 환경에서, 마스크막이 형성된 에칭 대상을 에칭하는 것을 포함하고, 에칭 대상을 에칭하는 것은, 에칭 대상이 질화규소(SiN)를 함유할 때에, 수소(H) 및 불소(F)가 존재하는 환경에서 에칭 대상을 에칭하는 공정을 포함하며, 에칭 대상이 규소(Si)를 함유할 때에, 질소(N), 수소(H) 및 불소(F)가 존재하는 환경에서 에칭 대상을 에칭하는 공정을 포함하고, 화합물은 탄소(C)와, 염소(Cl)와 브롬(Br)과 요오드(I)로 이루어지는 집합에서 선택되는 적어도 하나의 할로겐 원소를 포함한다.

대표청구항 ▼

화합물을 준비하는 것과,상기 화합물이 존재하는 환경에서, 마스크막이 형성된 에칭 대상을 에칭하는 것을 포함하고,상기 에칭 대상을 에칭하는 것은,상기 에칭 대상이 질화규소(SiN)를 함유할 때에, 수소(H) 및 불소(F)가 존재하는 환경에서 상기 에칭 대상을 에칭하는 공정을 포함하고,상기 에칭 대상이 규소(Si)를 함유할 때에, 질소(N), 수소(H) 및 불소(F)가 존재하는 환경에서 상기 에칭 대상을 에칭하는 공정을 포함하고,상기 화합물은 탄소(C)와, 염소(Cl)와 브롬(Br)과 요오드(I)로 이루어지는 집합에서 선택되는 적어도

화합물을 준비하는 것과,상기 화합물이 존재하는 환경에서, 마스크막이 형성된 에칭 대상을 에칭하는 것을 포함하고,상기 에칭 대상을 에칭하는 것은,상기 에칭 대상이 질화규소(SiN)를 함유할 때에, 수소(H) 및 불소(F)가 존재하는 환경에서 상기 에칭 대상을 에칭하는 공정을 포함하고,상기 에칭 대상이 규소(Si)를 함유할 때에, 질소(N), 수소(H) 및 불소(F)가 존재하는 환경에서 상기 에칭 대상을 에칭하는 공정을 포함하고,상기 화합물은 탄소(C)와, 염소(Cl)와 브롬(Br)과 요오드(I)로 이루어지는 집합에서 선택되는 적어도 하나의 할로겐 원소를 포함하는 것인 에칭 처리 방법.