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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0108917 (2020-08-28) | |
공개번호 | 10-2022-0028200 (2022-03-08) | |
등록번호 | 10-2427421-0000 (2022-07-27) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200108917 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-08-28) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상부측에 이차원 전자가스층이 형성된 GaN층과, 상기 GaN층의 상부전면에 위치하는 AlGaN층과, 상기 AlGaN층의 상부 일부에 위치하며, 평면상 사각형의 테두리를 이루는 p-GaN 패턴층과, 상기 p-GaN 패턴층의 상부일부, 상기 p-GaN층의 안쪽에 위치하는 측벽 사이에서 노출된 AlGaN층 및 상기 p-GaN 패턴층의 외측 둘레에서 이격되어 위치하는 AlGaN층의 일부를 노출시키는 유전막과, 상기 p-GaN 패턴층의 상부일부 및 상기 p-GaN층의 안쪽 하부에 위치하
상부측에 이차원 전자가스층이 형성된 GaN층;상기 GaN층의 상부전면에 위치하는 AlGaN층;상기 AlGaN층의 상부 일부에 위치하며, 평면상 사각형의 테두리를 이루는 p-GaN 패턴층;상기 p-GaN 패턴층의 상부일부, 상기 p-GaN 패턴층의 안쪽에 위치하는 측벽 사이에서 노출된 AlGaN층 및 상기 p-GaN 패턴층의 외측 둘레에서 이격되어 위치하는 AlGaN층의 일부를 노출시키는 유전막;상기 p-GaN 패턴층의 상부일부 및 상기 p-GaN 패턴층의 안쪽 하부에 위치하는 AlGaN층에 접촉되는 애노드 오믹 금속층; 상기 p-G
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