최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2020-0109407 (2020-08-28) | |
공개번호 | 10-2022-0028422 (2022-03-08) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200109407 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
법적상태 | 공개 |
본 발명은 음극의 전리튬화 방법에 관한 것으로, 음극 집전체 상에 퓨어 실리콘(Si) 100중량%를 포함하는 음극 활물질을 포함하는 음극 슬러리를 도포하여 음극 활물질층이 형성된 음극 구조체를 제조하는 단계; 상기 음극 구조체를 전리튬화 용액에 수용하는 단계; 및 상기 음극 구조체를 전리튬화하는 단계를 포함하며, 상기 전리튬화는 전리튬화 용액에 수용된 음극 구조체에 이격되도록 리튬 금속 대극을 배치하고 음극 구조체를 전기화학 충전하여 수행되며, 전리튬화된 음극 구조체에서, 음극 활물질층의 전리튬화도는 7 내지 12%이다.
음극 집전체 상에 퓨어 실리콘(Si) 100중량%를 포함하는 음극 활물질을 포함하는 음극 슬러리를 도포하여 음극 활물질층이 형성된 음극 구조체를 제조하는 단계;상기 음극 구조체를 전리튬화 용액에 수용하는 단계; 및상기 음극 구조체를 전리튬화하는 단계를 포함하며,상기 전리튬화는 전리튬화 용액에 수용된 음극 구조체에 이격되도록 리튬 금속 대극을 배치하고 음극 구조체를 전기화학 충전하여 수행되며,전리튬화된 음극 구조체에서, 음극 활물질층의 전리튬화도는 7 내지 12%인 음극의 전리튬화 방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.