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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0151658 (2020-11-13) | |
등록번호 | 10-2254543-0000 (2021-05-14) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200151658 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-11-13) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 탄화규소의 표면처리를 위한 화학적 조성물에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 Si를 이온화하는데 필요한 불소화합물, SiC 결정에서 Si-C 이온결합을 깨주는 산화제, 산화속도 제어에 필요한 산화속도 제어제 및 표면장력을 낮추는 계면활성제 등으로 구성되는 SiC의 표면 에칭에 사용되는 화학 조성물에 관한 것이다.본 발명의 화학적 조성물은 고가의 에칭(etching) 공정 소모재료인 SiC를 etcher 설비 및 증착설비에 사용하는데 문제가 될 수 있는 산화막 및 가공시 발생하는 SiC chip들을 쉽게 제거하여 반도체 공정
Si를 이온화하는데 필요한 불소화합물로서 HF 및 NH4F의 혼합물, SiC 결정에서 Si-C 이온결합을 끊어주는 산화제로서 질산(HNO3), SiC의 용해속도를 제어할 수 있는 속도조절제로서 인산(H3PO4) 및 표면장력을 낮추는 계면활성제로 구성되는 것을 특징으로 하는 SiC 표면 에칭용 화학조성물.
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