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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0156552 (2020-11-20) | |
공개번호 | 10-2021-0070190 (2021-06-14) | |
우선권정보 | 미국(US) 62/942,660 (2019-12-02) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200156552 | |
발명자 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
기판 처리 장치의 예들은 챔버, 챔버 내부에 제공된 상부 커버, 유전체(dielectric body)의 환형 부분 및 환형 부분에 임베디드된 임베디드 전극을 포함하는 정전 척으로서, 상기 정전 척은 챔버 내부에 제공되는, 정전 척, 그리고 상기 상부 커버 및 상기 정전 척 아래 영역에서 플라즈마를 생성하도록 구성된 플라즈마 유닛을 포함하고, 상기 환형 부분은 상기 상부 커버 바로 아래에 위치한 환형의 제1 상부 표면 및 상기 상부 커버 바로 아래에 위치하고 상기 제1 상부 표면을 둘러싸는 제2 상부 표면을 포함하고, 상기 제2 상부
기판 처리 장치로서,챔버;챔버 내부에 제공되는 상부 커버;유전체의 환형 부분 및 상기 환형 부분에 임베디드되는 임베디드 전극을 포함하고 상기 챔버 내부에 제공되는 정전 척; 및상기 상부 커버 및 상기 정전 척 아래 영역에서 플라즈마를 생성하도록 구성된 플라즈마 유닛을 포함하며,상기 환형 부분은 상기 상부 커버 바로 아래에 위치된 환형의 제1 상부 표면, 그리고 상기 상부 커버 바로 아래에 위치하고 상기 제1 상부 표면을 둘러싸는 제2 상부 표면을 포함하고, 상기 제2 상부 표면은 상기 제1 상부 표면의 높이보다 높은 높이를 갖는,
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