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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0166704 (2020-12-02) | |
공개번호 | 10-2020-0138135 (2020-12-09) | |
등록번호 | 10-2301306-0000 (2021-09-07) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200166704 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-12-02) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 목적은 고출력 레이저 다이오드 소자의 도핑 농도를 기존방식 보다 전체적으로 증가하되, 광이 분포하는 하부 클래드층 (2) 영역에 가까울수록 3 단계에 걸쳐서 도핑 농도를 낮추다가 광이 집중적으로 분포하는 영역에서는 4단계로 도핑 농도를 점진적으로 낮추어 자유 캐리어 흡수 (free carrier absorption)에 의한 광손실을 최소화하는 수백 mW 이상급 단일 모드 (single mode)와 다중 모드 (multi mode)의 고출력 레이저 다이오드 제작을 구현하고자 하는 것이다.본 발명에 따르면, 고출력 레이저 다
반도체 레이저 다이오드 소자 제조방법으로서,반도체 기판(1)을 준비하고;상기 반도체 기판 (1)의 위에 하부 클래드층 (2)을 형성하고;상기 하부 클래드층 (2) 위에 활성층 (3)을 형성하고;상기 활성층 (3) 위에 상부 제 1 클래드층 (4)을 형성하고;상기 상부 제1 클래드층 (4) 위에 식각 정지층 (5)을 형성하고;상기 식각 정지층 (5) 위에 리지형 상부 제 2 클래드층 (6)을 형성하고;상기 상부 제 2 클래드층 (6)의 측방에 전류 차단층 (9);을 형성하고,상기 하부 클래드층은 캐리어 농도 조절을 위한 도펀트로 도핑
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