최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2020-0183316 (2020-12-24) | |
공개번호 | 10-2022-0092005 (2022-07-01) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200183316 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2020-12-24) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은, SiC 기판 상에 낮은 저항 오믹 접촉을 형성하는 반도체 및 그것의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은, 상기 SiC 기판 상에 그래핀 레이어(Graphene layer)를 형성하는 단계 및 상기 형성된 그래핀 레이어 상에 금속을 증착하는 단계를 포함하는 반도체 제조 방법 및 그 제조 방법에 의해서 제조된 반도체에 관한 것이다.
SiC 기판 상에 오믹 접촉을 형성하는 반도체 제조 방법에 있어서,상기 SiC 기판 상에 그래핀 레이어(Graphene layer)를 형성하는 단계; 및상기 형성된 그래핀 레이어 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,반도체 제조 방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.