초록 ▼

내층의 봉지 필름이 신축성이 낮은 물리적 특성을 갖는 경우에도 광학 반도체 소자를 매우 신뢰할 수 있는 방식으로 봉지할 수 있는 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 본 발명은 후술하는 단계를 포함한다: 감압 챔버 내에서 광학 반도체 소자가 탑재되는 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름을 포함하는 적어도 2개의 유형의 봉지 필름을 그 순서대로 배치하고 감압 챔버 내를 감압하는 단계; 최외층 봉지 필름을 가열하여 최외층 봉지 필름의 적어도 주변부를 광학 반도체 소자 탑재 기판의 표면에 열

내층의 봉지 필름이 신축성이 낮은 물리적 특성을 갖는 경우에도 광학 반도체 소자를 매우 신뢰할 수 있는 방식으로 봉지할 수 있는 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 본 발명은 후술하는 단계를 포함한다: 감압 챔버 내에서 광학 반도체 소자가 탑재되는 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름을 포함하는 적어도 2개의 유형의 봉지 필름을 그 순서대로 배치하고 감압 챔버 내를 감압하는 단계; 최외층 봉지 필름을 가열하여 최외층 봉지 필름의 적어도 주변부를 광학 반도체 소자 탑재 기판의 표면에 열 융착하는 단계; 및 감압 챔버 내부의 감압을 해제하여 최외층 봉지 필름 및 내층 봉지 필름으로 광학 반도체 소자 탑재 기판을 봉지하는 단계. 감압 챔버 내의 감압을 해제할 때의 광학 반도체 소자 탑재 기판의 온도 T2는, 최외층 봉지 필름이 0.02 내지 0.15 MPa의 인장 강도 및 200 내지 450%의 파단 신율을 나타내는 온도이다. 내층 봉지 필름은 온도 T2에서 1.6 이상의 손실 탄젠트(tan δ)를 나타낸다.

대표청구항 ▼

봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법으로서,감압 챔버 내에서 광학 반도체 소자를 탑재하는 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에, 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름을 포함하는 적어도 2개의 유형의 봉지 필름을 그 순서대로 탑재하고, 상기 감압 챔버 내를 감압하는 단계;상기 최외층 봉지 필름을 가열하여 상기 최외층 봉지 필름의 적어도 주변부를 상기 광학 반도체 소자 탑재 기판의 표면에 열 융착하는 단계; 및상기 감압 챔버 내의 감압을 해제하여, 상기 최외층 봉지 필름 및 상기 내층 봉지 필름으로 상기 광학 반도체 소자 탑재 기판을 봉지하

봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법으로서,감압 챔버 내에서 광학 반도체 소자를 탑재하는 광학 반도체 소자 탑재 기판 상에, 내층 봉지 필름 및 최외층 봉지 필름을 포함하는 적어도 2개의 유형의 봉지 필름을 그 순서대로 탑재하고, 상기 감압 챔버 내를 감압하는 단계;상기 최외층 봉지 필름을 가열하여 상기 최외층 봉지 필름의 적어도 주변부를 상기 광학 반도체 소자 탑재 기판의 표면에 열 융착하는 단계; 및상기 감압 챔버 내의 감압을 해제하여, 상기 최외층 봉지 필름 및 상기 내층 봉지 필름으로 상기 광학 반도체 소자 탑재 기판을 봉지하는 단계를 포함하고,상기 감압 챔버 내의 감압을 해제할 때의 상기 광학 반도체 소자 탑재 기판의 온도 T2는, 상기 최외층 봉지 필름이 0.02 내지 0.15 MPa의 인장 강도 및 200 내지 450%의 파단 신율을 나타내는 온도이며, 상기 내층 봉지 필름은 온도 T2에서 1.6 이상의 손실 탄젠트(tan δ)를 나타내는, 봉지 광학 반도체 장치의 제조 방법.