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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-7009025 (2020-03-27) | |
공개번호 | 10-2020-0040887 (2020-04-20) | |
등록번호 | 10-2317441-0000 (2021-10-20) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2017-210449 (2017-10-31) | |
국제출원번호 | PCT/JP2018/038616 (2018-10-17) | |
국제공개번호 | WO 2019/087784 (2019-05-09) | |
번역문제출일자 | 2020-03-27 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020207009025 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-03-27) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명에 1형태에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법은 기판 상에 활성층을 형성하는 것을 포함한다. 소스 영역 및 드레인 영역이 상기 활성층과 전기적으로 접속 가능하게 형성된다. 상기 활성층의 표면에, 산화 규소로 구성되는 제1 금속 산화물층이 플라스마 CVD에 의해 형성된다. 상기 제1 금속 산화물층의 표면에, 산화알루미늄으로 구성되는 제2 금속 산화물층이 ALD에 의해 형성된다. 상기 제2 금속 산화물층의 표면에 게이트 전극이 형성된다.
기판 상에 활성층을 형성하고,소스 영역 및 드레인 영역을, 상기 활성층과 전기적으로 접속 가능하게 형성하고,상기 활성층의 표면에, 산화 규소로 구성되는 제1 금속 산화물층을 플라스마 CVD에 의해 형성하고,상기 제1 금속 산화물층의 표면에, 산화알루미늄으로 구성되는 제2 금속 산화물층을 ALD에 의해 형성하고,상기 제1 금속 산화물층과 상기 제2 금속 산화물층 사이에 수소 풍부한 중간층을 형성하고,상기 제2 금속 산화물층의 표면에, 게이트 전극을 형성하는,박막 트랜지스터의 제조방법.
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