[특허]고 에너지 ALE (ATOMIC LAYER ETCHING)

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/3065 H01L-021/311 H01L-021/3213 H01L-021/67 H01L-029/66 H01L-029/78
출원번호	10-2020-7012786 (2020-05-04)
공개번호	10-2020-0053623 (2020-05-18)
우선권정보	미국(US) 62/569,443 (2017-10-06);미국(US) 62/599,613 (2017-12-15);미국(US) 16/148,939 (2018-10-01)
국제출원번호	PCT/US2018/054001 (2018-10-02)
국제공개번호	WO 2019/070737 (2019-04-11)
번역문제출일자	2020-05-04
DOI	http://doi.org/10.8080/1020207012786
발명자 / 주소	양, 웬빙 / 미국, *** 캘리포니아, 프레몬트, 캠브리아 스트리트 탄, 사만다 / 미국, * 캘리포니아, 프레몬트, 탄 오크 드라이브 무커르지, 타말 / 미국, * 캘리포니아, 프레몬트, 발보아 웨이 카나릭, 케렌 제이콥스 / 미국, * 캘리포니아, 로스 알토스, 서머힐 애비뉴 * 판, 양 / 미국, * 캘리포니아, 로스 알토스, 모턴 애비뉴 **
출원인 / 주소	램 리써치 코포레이션 / 미국 *** 캘리포니아주 프레몬트 쿠싱 파크웨이 **
대리인 / 주소	특허법인인벤싱크
법적상태	공개

초록 ▼

고 에너지 ALE를 수행하기 위한 방법들 및 장치가 본 명세서에 제공된다.방법들은 에칭될 재료를 갖는 기판을 제공하는 단계, 표면을 개질하고 개질된 표면을 형성하도록 개질 가스에 재료의 표면을 노출하는 단계, 및 아래에 놓인 개질되지 않은 표면에 대해 개질된 표면을 우선적으로 제거하도록 개질된 표면을 에너제틱 (energetic) 입자에 노출하는 단계를 포함하고, 에너제틱 입자는 아래에 놓인 개질되지 않은 표면의 평균 표면 결합 에너지를 극복하기 충분한 이온 에너지를 갖는다.사용된 에너제틱 입자의 에너지는 매우 높고, 일부 경우들에

대표청구항 ▼

기판을 프로세싱하는 방법에 있어서, 에칭될 재료를 포함하는 기판을 제공하는 단계;표면을 개질하고 개질된 표면을 형성하도록 개질 가스에 상기 에칭될 재료의 상기 표면을 노출하는 단계; 및아래에 놓인 개질되지 않은 표면에 대해 상기 개질된 표면을 우선적으로 제거하도록 상기 개질된 표면을 에너제틱 (energetic) 입자에 노출하는 단계로서, 상기 에너제틱 입자는 상기 아래에 놓인 개질되지 않은 표면의 평균 표면 결합 에너지를 극복하기 충분한 이온 에너지를 갖는, 상기 개질된 표면을 에너제틱 입자에 노출하는 단계를 포함하는, 기판 프로

IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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