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제안 방법
- 차세대 반도체의 channel layer 로 사용되는 InGaAs 에 대한 원자층 식각 조건을 확립하였으며, Atomic force microscopy 및 X-ray photoelectron spectroscopy를 이용하여 InGaAs 원자층 식각 특성을 분석하였다. 또한, 흡착 및 탈찰과 같은 다양한 공정 조건에서의 특성변화에 대해 관찰하였다.
- 본 연구에서는 3-grids assembly로 구성된 이온빔 추출이 가능한 플라즈마 이온빔 식각 장비를 이용하였고, ICP type의 안테나에 200W의 파워와 13.56MHz의 주파수를 인가하였다. 또한, 원자층 식각 공정은 자동화 사이클 시스템에서 진행되었으며, 기판온도는 –18℃로 유지되었다.
- 또한, 원자층 식각 공정은 자동화 사이클 시스템에서 진행되었으며, 기판온도는 –18℃로 유지되었다. 차세대 반도체의 channel layer 로 사용되는 InGaAs 에 대한 원자층 식각 조건을 확립하였으며, Atomic force microscopy 및 X-ray photoelectron spectroscopy를 이용하여 InGaAs 원자층 식각 특성을 분석하였다. 또한, 흡착 및 탈찰과 같은 다양한 공정 조건에서의 특성변화에 대해 관찰하였다.
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