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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0013843 (2021-02-01) | |
공개번호 | 10-2022-0110885 (2022-08-09) | |
등록번호 | 10-2572414-0000 (2023-08-29) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210013843 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-02-01) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 탄화규소의 열분해를 이용한 그래핀 양자점의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 그래핀 양자점에 관한 것으로, 수소를 포함하는 혼합가스가 공급되는 감압 분위기에서 탄화규소 기판을 열분해하는 단계;를 포함하는, 그래핀 양자점의 제조방법 및 이의 방법으로 제조된 그래핀 양자점에 관한 것이다.
수소를 포함하는 혼합가스가 공급되되 상기 수소가 상기 혼합가스 전체부피 대비 4 부피%로 공급되는 80m Torr의 감압 분위기 및 1500℃의 온도에서 탄화규소 기판을 열분해하여 평균 입자크기가 2nm 내지 3nm인 그래핀 양자점을 제조하는 단계;를 포함하는, 그래핀 양자점의 제조방법.
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