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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0043885 (2021-04-05) | |
공개번호 | 10-2022-0138522 (2022-10-13) | |
등록번호 | 10-2463561-0000 (2022-11-01) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210043885 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-04-05) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 a) 무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층을 증착하는 단계 b) 무산소 분위기를 유지하면서 in-situ로 상기 티타늄(Ti)층 위에 그래핀층을 성장시키는 단계 c) 플라즈마 처리를 통해 상기 그래핀층에 결함(defect)을 형성하는 단계 및 d) 상기 결함이 형성된 그래핀층을 보론을 도핑하는 단계;를 포함하여 채널로 사용되는 활성층을 형성하되, 상기 a) 내지 c) 단계는 화학기상증착(CVD)장치 내에서 수행되며, 상기 d) 단계는 스퍼터 장치 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 P-typ
무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층을 증착하는 a) 단계;무산소 분위기를 유지하면서 in-situ로 상기 티타늄(Ti)층 위에 그래핀층을 성장시키는 b) 단계;플라즈마 처리를 통해 상기 그래핀층에 결함(defect)을 형성하는 c) 단계; 및상기 결함이 형성된 그래핀층을 보론을 도핑하는 d) 단계;를 포함하여 채널로 사용되는 활성층을 형성하되, 상기 a) 내지 c) 단계는 화학기상증착(CVD)장치 내에서 수행되며, 상기 d) 단계는 대향 타겟식 스퍼터링 시스템(Facing target sputtering syste
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