초록 ▼

본 발명은 a) 무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층을 증착하는 단계 b) 무산소 분위기를 유지하면서 in-situ로 상기 티타늄(Ti)층 위에 그래핀층을 성장시키는 단계 c) 플라즈마 처리를 통해 상기 그래핀층에 결함(defect)을 형성하는 단계 및 d) 상기 결함이 형성된 그래핀층을 보론을 도핑하는 단계;를 포함하여 채널로 사용되는 활성층을 형성하되, 상기 a) 내지 c) 단계는 화학기상증착(CVD)장치 내에서 수행되며, 상기 d) 단계는 스퍼터 장치 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 P-typ

본 발명은 a) 무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층을 증착하는 단계 b) 무산소 분위기를 유지하면서 in-situ로 상기 티타늄(Ti)층 위에 그래핀층을 성장시키는 단계 c) 플라즈마 처리를 통해 상기 그래핀층에 결함(defect)을 형성하는 단계 및 d) 상기 결함이 형성된 그래핀층을 보론을 도핑하는 단계;를 포함하여 채널로 사용되는 활성층을 형성하되, 상기 a) 내지 c) 단계는 화학기상증착(CVD)장치 내에서 수행되며, 상기 d) 단계는 스퍼터 장치 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 P-type FET 제조방법에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층을 증착하는 a) 단계;무산소 분위기를 유지하면서 in-situ로 상기 티타늄(Ti)층 위에 그래핀층을 성장시키는 b) 단계;플라즈마 처리를 통해 상기 그래핀층에 결함(defect)을 형성하는 c) 단계; 및상기 결함이 형성된 그래핀층을 보론을 도핑하는 d) 단계;를 포함하여 채널로 사용되는 활성층을 형성하되, 상기 a) 내지 c) 단계는 화학기상증착(CVD)장치 내에서 수행되며, 상기 d) 단계는 대향 타겟식 스퍼터링 시스템(Facing target sputtering syste

무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층을 증착하는 a) 단계;무산소 분위기를 유지하면서 in-situ로 상기 티타늄(Ti)층 위에 그래핀층을 성장시키는 b) 단계;플라즈마 처리를 통해 상기 그래핀층에 결함(defect)을 형성하는 c) 단계; 및상기 결함이 형성된 그래핀층을 보론을 도핑하는 d) 단계;를 포함하여 채널로 사용되는 활성층을 형성하되, 상기 a) 내지 c) 단계는 화학기상증착(CVD)장치 내에서 수행되며, 상기 d) 단계는 대향 타겟식 스퍼터링 시스템(Facing target sputtering system) 장치 내에서 수행된 결과, 전류점멸비(Ion/Ioff) 가 1.0 x 104 이상, 전기전하이동도(Mobility)가 100㎠/V·s 이상, 문턱전압(Vth)이 1.4V 이하, 서브문턱 스윙(Subthreshold Swing)은 0.7V/decade 이하이며, 1.0eV 미만의 밴드갭을 가지는 것을 특징으로 하는, 그래핀 기반의 P-type FET 제조방법.