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연합인증

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폐 SiC를 이용한 α-SiC 분말의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C04B-035/565
  • C01B-032/963
  • C04B-035/64
출원번호 10-2021-0076735 (2021-06-14)
공개번호 10-2022-0167585 (2022-12-21)
등록번호 10-2682372-0000 (2024-07-02)
DOI http://doi.org/10.8080/1020210076735
발명자 / 주소
  • 이규도 / 경기도 수원시 영통구 봉영로****번길 **, ***동 ****호(영통동, 벽산.풍림아파트)
  • 김태희 / 경기도 평택시 청북읍 안청로*길 **, ***동 ***호(유승한내들)
  • 이채영 / 충청남도 천안시 서북구 성거읍 수청*길 **-**, ***호(신비텔)
출원인 / 주소
  • 주식회사 케이씨인더스트리얼 / 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, **층(대치동, 글라스타워)
대리인 / 주소
  • 제일특허법인(유)
심사청구여부 있음 (2021-06-14)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명의 α-SiC 분말의 제조방법에 따르면, 반도체 공정 등에서의 다양한 β-SiC 함유 폐기물 내의 불순물을 제거하고 상전이를 수행함으로써, 질소 등의 불순물 함량을 현저히 감소시키면서 기존의 방법으로는 구현하기 어려웠던 다양한 입경의 α-SiC 분말을 제조할 수 있다.

대표청구항

β-SiC를 포함하는 폐 SiC를 준비하는 단계;상기 폐 SiC에서 흑연을 제거하는 단계;상기 폐 SiC를 분쇄하는 단계;상기 폐 SiC에서 자성 불순물을 제거하는 단계; 및상기 폐 SiC 내의 β-SiC를 α-SiC로 상전환시키는 단계를 포함하고, 상기 α-SiC 분말의 입경이 10 nm 내지 10 mm이고, 상기 α-SiC 분말이 1 mm 이상의 입경을 갖는 α-SiC 분말을 50 중량% 이상으로 포함하는, α-SiC 분말의 제조방법.

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 탄화규소의 제조 방법 | 구보타 요시히로, 오오사키 히로미, 모치즈키 마사히로
  2. [한국] 고순도 SiC 분말의 제조방법 | 이규도, 김태희, 이채영
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