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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0076735 (2021-06-14) | |
공개번호 | 10-2022-0167585 (2022-12-21) | |
등록번호 | 10-2682372-0000 (2024-07-02) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210076735 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-06-14) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 α-SiC 분말의 제조방법에 따르면, 반도체 공정 등에서의 다양한 β-SiC 함유 폐기물 내의 불순물을 제거하고 상전이를 수행함으로써, 질소 등의 불순물 함량을 현저히 감소시키면서 기존의 방법으로는 구현하기 어려웠던 다양한 입경의 α-SiC 분말을 제조할 수 있다.
β-SiC를 포함하는 폐 SiC를 준비하는 단계;상기 폐 SiC에서 흑연을 제거하는 단계;상기 폐 SiC를 분쇄하는 단계;상기 폐 SiC에서 자성 불순물을 제거하는 단계; 및상기 폐 SiC 내의 β-SiC를 α-SiC로 상전환시키는 단계를 포함하고, 상기 α-SiC 분말의 입경이 10 nm 내지 10 mm이고, 상기 α-SiC 분말이 1 mm 이상의 입경을 갖는 α-SiC 분말을 50 중량% 이상으로 포함하는, α-SiC 분말의 제조방법.
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