초록 ▼

본 발명은, (a) 양친매성 고분자를 포함하는 고분자 마이셀(micelle)로 표면이 코팅된 제1 금속 템플레이트를 제조하는 단계, 및 (b) 상기 제1 금속 템플레이트를 제2 금속 이온과 갈바닉 치환 반응시키는 단계를 포함하는 금속 나노 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 금속 나노 구조체에 대한 것으로서, 본 발명에 의하면 갈바닉 치환 반응시 캡핑제로서 양친매성 고분자를 사용하여 마이셀 형태의 고분자를 금속 템플레이트에 흡착시켜 선택적으로 갈바닉 치환 반응을 진행시킴으로써, 중공형 나노입자 등 한정된 형상의 나노 구조체를 제

본 발명은, (a) 양친매성 고분자를 포함하는 고분자 마이셀(micelle)로 표면이 코팅된 제1 금속 템플레이트를 제조하는 단계, 및 (b) 상기 제1 금속 템플레이트를 제2 금속 이온과 갈바닉 치환 반응시키는 단계를 포함하는 금속 나노 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 금속 나노 구조체에 대한 것으로서, 본 발명에 의하면 갈바닉 치환 반응시 캡핑제로서 양친매성 고분자를 사용하여 마이셀 형태의 고분자를 금속 템플레이트에 흡착시켜 선택적으로 갈바닉 치환 반응을 진행시킴으로써, 중공형 나노입자 등 한정된 형상의 나노 구조체를 제조할 수 있었던 종래 기술과 달리, 나노입자 사이에 수많은 기공들이 형성된 나노 구조체를 비롯한 신규한 2차원 구조의 나노 구조체를 제조할 수 있으며, 극성지수(polarity index)가 상이한 2종의 용매의 혼합비(mixing ratio)를 조절하여 템플레이트에 흡착되는 고분자 마이셀의 크기를 제어하여 최종적으로 제조되는 금속 나노구조체의 구조적인 특성을 변화시킬 수 있다.

대표청구항 ▼

(a) 양친매성 고분자를 포함하는 고분자 마이셀(micelle)로 표면이 코팅된 제1 금속 템플레이트를 제조하는 단계; 및 (b) 상기 제1 금속 템플레이트를 제2 금속 이온과 갈바닉 치환 반응시키는 단계;를 포함하되, 상기 단계 (a)에서, 시드-매개 성장법(seed-mediated growth method)을 통해, 제1 금속 전구체로서 질산은(AgNO3), 양친매성 고분자로서 PVDC-g-POEM [poly(vinylidene chloride)-graft-poly(oxyethylene methacrylate)], 환원제 및 극

(a) 양친매성 고분자를 포함하는 고분자 마이셀(micelle)로 표면이 코팅된 제1 금속 템플레이트를 제조하는 단계; 및 (b) 상기 제1 금속 템플레이트를 제2 금속 이온과 갈바닉 치환 반응시키는 단계;를 포함하되, 상기 단계 (a)에서, 시드-매개 성장법(seed-mediated growth method)을 통해, 제1 금속 전구체로서 질산은(AgNO3), 양친매성 고분자로서 PVDC-g-POEM [poly(vinylidene chloride)-graft-poly(oxyethylene methacrylate)], 환원제 및 극성지수(polarity index)가 상이한 2종의 용매로서 테트라하이드로퓨란(THF) 및 물을 포함하는 반응 혼합물로부터, 표면에 고분자 마이셀이 코팅된 금속 나노플레이트를 합성하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 구조체의 제조방법.