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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0107532 (2021-08-13) | |
공개번호 | 10-2023-0025243 (2023-02-21) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210107532 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
4차 아민기를 갖는 제 1 유기 연마 부스터; 아미노산인 제 2 유기 연마 부스터; 및 캐리어를 포함하고, 무기 연마 입자의 함량이 0.01 중량% 미만인 폴리실리콘 연마용 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 슬러리 조성물이 제공된다. 본 발명의 슬러리 조성물을 이용하면 무기 연마제의 사용 없이도 높은 속도로 폴리실리콘을 제거할 수 있고, 나아가 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막에 대한 식각 선택비도 크게 향상될 수 있다.
4차 아민기를 갖는 제 1 유기 연마 부스터;아미노산인 제 2 유기 연마 부스터; 및캐리어;를 포함하고, 무기 연마 입자의 함량이 0.01 중량% 미만인 폴리실리콘 연마용 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 슬러리 조성물.
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