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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0155609 (2021-11-12) | |
공개번호 | 10-2023-0069510 (2023-05-19) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210155609 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-11-12) | |
법적상태 | 공개 |
본 발명에서는 식물 유래 갈산을 해상 물질인 키토산 분자에 그라프트화함으로써 산성이 아닌 수용액에도 녹을 수 있는 실리콘 음극용 바인더를 개발하였다. GA의 -OH 및 -NH2 작용기의 활성 수소 원자를 H2O2/AA 산화 환원계를 이용한 자유 라디칼 그래프팅 반응을 통해 키토산에 성공적으로 그라프트화 하였다. 제조된 CS-grafted-GA (CS-g-GA) 바인더를 기반으로 한 Si 전극의 경우 우수한 접착 강도, 충전 용량, 사이클링 및 율속 성능을 보였으며 Si의 부피 팽창에 대해 우수한 저항성을 나타내었다. 이는 갈롤 바인
키토산(chitosan)을 포함하는 주쇄 및 상기 주쇄의 곁가지에 갈산(Gallic Acid)이 결합된 갈산(Gallic Acid) 그래프트 키토산(chitosan) 공중합체를 포함하는 수성 실리콘 음극용 바인더.
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