초록 ▼

본 발명은 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법에 관한 것으로, 염소계 가스와 소스존의 Ga이 반응하여 GaClx가 생성되는 반응가스 생성부와, 도펀트 가스가 공급되는 도펀트 가스 공급부와, 소스튜브 내에서 추가 염소계 가스가 공급되도록 하는 추가 염소계 가스 공급부와, 산소계 가스가 공급되는 산소계 가스 공급부와, Ga2O3 박막이 성장될 기판을 배치하는 서셉터부를 포함하며, 상기 추가 염소계 가스로 인해 상기 GaClx와 산소의 선반응(pre-reaction)을 감소시켜 기판 표면에서 Ga2O3가 반응하도록 함으로써, 박막 형태

본 발명은 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법에 관한 것으로, 염소계 가스와 소스존의 Ga이 반응하여 GaClx가 생성되는 반응가스 생성부와, 도펀트 가스가 공급되는 도펀트 가스 공급부와, 소스튜브 내에서 추가 염소계 가스가 공급되도록 하는 추가 염소계 가스 공급부와, 산소계 가스가 공급되는 산소계 가스 공급부와, Ga2O3 박막이 성장될 기판을 배치하는 서셉터부를 포함하며, 상기 추가 염소계 가스로 인해 상기 GaClx와 산소의 선반응(pre-reaction)을 감소시켜 기판 표면에서 Ga2O3가 반응하도록 함으로써, 박막 형태의 에피 성장시에 추가적인 염화수소(HCl) 가스를 흘려보내어 pre-reaction을 감소시키고 서셉터까지의 이동거리를 향상하여 성장률(growth rate) 및 성장속도 향상과 결정성을 제어하여 고품질의 에피 성장으로의 제작이 가능할 뿐만 아니라, 생산 수율을 향상시킬 수 있다.

대표청구항 ▼

염소계 가스와 소스존의 Ga이 반응하여 GaClx가 생성되는 반응가스 생성부;도펀트 가스가 공급되는 도펀트 가스 공급부; 소스튜브 내에서 추가 염소계 가스가 공급되도록 하는 추가 염소계 가스 공급부; 산소계 가스가 공급되는 산소계 가스 공급부;Ga2O3 박막이 성장될 기판을 배치하는 서셉터부; 및상기 소스존 내부에서 상기 염소계 가스의 통과 경로를 감소하여, 상기 염소계 가스와 소스존의 Ga의 반응성을 높이기 위한 제1 가이드부재;를 포함하며, 상기 추가 염소계 가스로 인해 상기 GaClx와 산소의 선반응(pre-reaction)을

염소계 가스와 소스존의 Ga이 반응하여 GaClx가 생성되는 반응가스 생성부;도펀트 가스가 공급되는 도펀트 가스 공급부; 소스튜브 내에서 추가 염소계 가스가 공급되도록 하는 추가 염소계 가스 공급부; 산소계 가스가 공급되는 산소계 가스 공급부;Ga2O3 박막이 성장될 기판을 배치하는 서셉터부; 및상기 소스존 내부에서 상기 염소계 가스의 통과 경로를 감소하여, 상기 염소계 가스와 소스존의 Ga의 반응성을 높이기 위한 제1 가이드부재;를 포함하며, 상기 추가 염소계 가스로 인해 상기 GaClx와 산소의 선반응(pre-reaction)을 감소시켜 기판 표면에서 Ga2O3가 반응하도록 하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조장치.