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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2019-0153646 (2019-11-26) | |
| 공개번호 | 10-2021-0064908 (2021-06-03) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020190153646 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2019-11-26) | |
| 심사진행상태 | 거절결정(재심사) | |
| 법적상태 | 거절 |
나노로드 형태의 PSS 기판 상에 HVPE 성장법을 이용하여 α-Ga2O3를 성장시켜 고품질의 α-Ga2O3 박막을 제조할 수 있는 나노로드 PSS 기판 상에 HVPE 성장법으로 성장된 고품질 α-Ga2O3 박막 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 나노로드 PSS 기판 상에 HVPE 성장법으로 성장된 고품질 α-Ga2O3 박막 제조 방법은 사파이어 기판 상에 복수의 나노로드 패턴을 형성하여 나노로드 PSS 기판을 준비하는 단계; 및 상기 나노로드 PSS 기판을 N2 가스 분위기에 노출시킨 상태에서 갈륨 금속을 이용하
사파이어 기판 상에 복수의 나노로드 패턴을 형성하여 나노로드 PSS 기판을 준비하는 단계; 및 상기 나노로드 PSS 기판을 N2 가스 분위기에 노출시킨 상태에서 갈륨 금속을 이용하여 450 ~ 550℃의 소스온도 및 470 ~ 550℃의 성장온도 조건으로 성장시켜 α-Ga2O3 박막을 형성하는 단계; 를 포함하는 나노로드 PSS 기판 상에 HVPE 성장법으로 성장된 고품질 α-Ga2O3 박막 제조 방법.
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