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[한국특허] 칼코게나이드 재료들의 컨포멀한 손상-프리 캡슐화 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/768
  • C23C-016/455
  • H01L-021/02
  • H01L-021/67
출원번호 10-2021-7008665 (2021-03-23)
공개번호 10-2021-0037728 (2021-04-06)
우선권정보 미국(US) 16/112,503 (2018-08-24)
국제출원번호 PCT/US2019/047560 (2019-08-21)
국제공개번호 WO 2020/041508 (2020-02-27)
번역문제출일자 2021-03-23
DOI http://doi.org/10.8080/1020217008665
발명자 / 주소
  • 심즈, 제임스 사무엘 / 미국, ***** 캘리포니아, 프레몬트, 쿠싱 파크웨이 ****
  • 맥케로우, 앤드류 존 / 미국, ***** 캘리포니아, 프레몬트, 쿠싱 파크웨이 ****
  • 센, 메이화 / 미국, ***** 캘리포니아, 프레몬트, 쿠싱 파크웨이 ****
  • 릴, 토르스텐 베르튼 / 미국, ***** 캘리포니아, 프레몬트, 쿠싱 파크웨이 ****
  • 탕, 셰인 / 미국, ***** 캘리포니아, 프레몬트, 쿠싱 파크웨이 ****
  • 켈츠너, 캐스린 머세드 / 아일랜드, 티** 씨**피, 코크, 워터코스 로드, 시티 스퀘어, 더 코트야드 **
  • 호앙, 존 / 미국, ***** 캘리포니아, 프레몬트, 쿠싱 파크웨이 ****
  • 둘킨, 알렉산더 / 미국, ***** 캘리포니아, 프레몬트, 쿠싱 파크웨이 ****
  • 첸, 다나 / 미국, ***** 캘리포니아, 프레몬트, 쿠싱 파크웨이 ****
  • 라이, 비크란트 / 미국, ***** 캘리포니아, 프레몬트, 쿠싱 파크웨이 ****
출원인 / 주소
  • 램 리써치 코포레이션 / 미국 ***** 캘리포니아주 프레몬트 쿠싱 파크웨이 ****
대리인 / 주소
  • 특허법인인벤싱크
법적상태 공개

초록 ▼

반도체 기판 상의 칼코게나이드 재료 위에 캡슐화 이중층을 형성하기 위한 방법들 및 장치들이 제공된다.방법들은 칼코게나이드 재료 직상에 PP-PECVD (pulsed plasma-enhanced chemical vapor deposition) 를 사용하여 증착된 배리어 층 및 PEALD (plasma-enhanced atomic layer deposition) 를 사용하여 증착된 배리어 층 위에 캡슐화 층을 포함하는 이중층을 형성하는 것을 수반한다.다양한 실시 예들에서, 배리어 층은 할로겐-프리 실리콘 전구체를 사용하여 형성되고 PE

대표청구항

칼코게나이드 재료의 하나 이상의 노출된 층들을 포함하는 기판을 제공하는 단계;상기 칼코게나이드 재료의 하나 이상의 노출된 층들을 펄싱된 할로겐-프리 (halogen-free) 플라즈마에 노출시킴으로써 제 1 실리콘 나이트라이드 층을 증착하는 단계; 및상기 제 1 실리콘 나이트라이드 층을 증착한 후, 할로겐-함유 실리콘-함유 전구체 및 질소-함유 반응물질의 교번하는 펄스들을 사용하는 원자 층 증착에 의해 상기 제 1 실리콘 나이트라이드 층 상에 제 2 실리콘 나이트라이드 층을 증착하는 단계를 포함하는, 방법.

이 특허에 인용된 특허 (3) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. [한국] 칼코게나이드 재료를 캡슐화하기 위한 방법 | 헨리 존, 하우스만 데니스 엠., 바라다라잔 세샤세이, 바라다라잔 바드리 엔.
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  2. [한국] 실리콘 니트라이드 필름을 증착시키기 위한 조성물 및 방법 | 레이, 신지안, 김, 무성, 시아오, 만차오
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  3. [미국] SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MULTI-PORTION LINERS AND RELATED METHODS | Campbell, Kyle B., Vasilyeva, Irina, Good, Farrell M., Bhat, Vishwanath, Chong, Kyuchul
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