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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-7037849 (2021-11-19) | |
공개번호 | 10-2021-0147077 (2021-12-06) | |
우선권정보 | 미국(US) 62/839,117 (2019-04-26);미국(US) 16/658,286 (2019-10-21) | |
국제출원번호 | PCT/US2020/024687 (2020-03-25) | |
국제공개번호 | WO 2020/219201 (2020-10-29) | |
번역문제출일자 | 2021-11-19 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020217037849 | |
발명자 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
금속 전극 구조들, 보다 구체적으로는 리튬 함유 애노드들인 고성능 전기 화학 디바이스들, 이를테면 앞서 언급된 리튬 함유 전극들을 포함하는 1차 및 2차 전기 화학 디바이스들을 형성하기 위한 방법 및 장치가 개시된다.일 구현에서, 이 방법은 집전 장치 상에 리튬 금속 막을 형성하는 단계를 포함한다.집전 장치는 구리 및/또는 스테인리스 강을 포함한다.이 방법은 리튬 금속 막 상에 보호 막 스택을 형성하는 단계를 더 포함하며, 이 단계는 리튬 금속 막 상에 제1 보호 막을 형성하는 단계를 포함한다.제1 보호 막은, 비스무트 칼코겐화물
집전 장치(current collector) 상에 리튬 금속 막을 형성하는 단계 ― 상기 집전 장치는 구리 및/또는 스테인리스 강을 포함함 ―; 및 상기 리튬 금속 막 상에 보호 막 스택을 형성하는 단계를 포함하며,상기 보호 막 스택을 형성하는 단계는: 상기 리튬 금속 막 상에 제1 보호 막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 보호 막은, 비스무트 칼코겐화물 막, 구리 칼코겐화물 막, 주석 칼코겐화물 막, 갈륨 칼코겐화물 막, 게르마늄 칼코겐화물 막, 인듐 칼코겐화물 막, 은 칼코겐화물 막, 유전체 막, 리튬 불화물 막, 또는 이
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