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캐패시터 패턴 구조 제조 방법 및 이를 이용한 캐패시터 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H10N-097/00
출원번호 10-2022-0004471 (2022-01-12)
공개번호 10-2023-0108852 (2023-07-19)
DOI http://doi.org/10.8080/1020220004471
발명자 / 주소
  • 차지훈 / 경기도 화성시 병점동로 **-* (진안동)
  • 김태동 / 경기도 화성시 동탄기흥로***번길 ** (오산동, 동탄역 에일린의뜰)
  • 이동기 / 경기도 화성시 병점동로 ***-* (진안동)
  • 임승구 / 경기도 화성시 동탄지성로 ***-** (기산동, 에스케이뷰파크 *차)
  • 박영열 / 경기도 용인시 수지구 성복*로 *** (성복동, 버들치마을 성복자이*차)
출원인 / 주소
  • 앨로힘 주식회사 / 대전광역시 유성구 테크노*로 **-**, *동 *층 (관평동)
대리인 / 주소
  • 특허법인 남앤남
심사청구여부 있음 (2022-01-12)
심사진행상태 포기(등록결정전 포기서제출)
법적상태 포기

초록

본 발명의 일 실시 예는 전극 표면에 연속하는 다각형의 패턴이 형성되도록 하여 고용량의 캐패시터가 구현될 수 있도록 하는 캐패시터 패턴 구조 제조 방법 및 이를 이요한 캐패시터 제조 방법에 대해 발명한다.

대표청구항

캐패시터 패턴 구조 제조 방법으로서, 기판 상에 복수의 다각형이 연속하는 트렌치(Trench) 패턴을 형성하는 단계; 상기 트렌치 패턴 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 증착된 상기 하부 전극 상에 유전층을 형성하는 단계; 및상기 유전층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 캐패시터 패턴 구조 제조 방법.

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