초록

본 발명은 황(S)이 포함된 가스 혹은 황(S)이 포함된 실리콘(Si) 전구체(Precursor)를 사용하여 SiO2 혹은 SiN 등의 기재의 표면 특성을 개질함으로써, SiO2 혹은 SiN 기재 상에 형성되는 탄소 원자의 흡착 특성을 향상시키고, 이후 후속 공정에서 증착되는 탄소 박막의 두께를 원자층 단위로 선형적으로 증가시킬 수 있는 탄소 박막의 제조 방법을 제공할 수 있으며, 이러한 방법을 통해 반도체 공정에 사용되는 탄소 박막 소자를 보다 저온 및 저비용으로 제조할 수 있는 효과가 있다.

대표청구항

절연층 기재을 준비하는 단계(S100);상기 절연층 기재의 표면을 개질 화합물을 사용하여 개질하는 단계(S200); 및원자층 증착법을 사용하여 개질된 기재 상에 탄소 박막을 증착하는 단계(S300);를 포함하고,상기 개질 화합물은, 황(sulfur)을 포함하는 가스 혹은 황(sulfur)을 포함하는 실리콘 전구체(silicon precursor)인 것을 특징으로 하는, 탄소 박막의 제조 방법.

절연층 기재을 준비하는 단계(S100);상기 절연층 기재의 표면을 개질 화합물을 사용하여 개질하는 단계(S200); 및원자층 증착법을 사용하여 개질된 기재 상에 탄소 박막을 증착하는 단계(S300);를 포함하고,상기 개질 화합물은, 황(sulfur)을 포함하는 가스 혹은 황(sulfur)을 포함하는 실리콘 전구체(silicon precursor)인 것을 특징으로 하는, 탄소 박막의 제조 방법.