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방열 및 전자파 차폐 복합 소재, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H05K-007/20
  • C01B-032/15
  • H05K-009/00
출원번호 10-2022-0023409 (2022-02-23)
공개번호 10-2023-0126359 (2023-08-30)
등록번호 10-2692359-0000 (2024-08-01)
DOI http://doi.org/10.8080/1020220023409
발명자 / 주소
  • 남재도 / 서울특별시 강남구 자곡로 ***, ***동 ****호(자곡동, 강남한양수자인아파트)
  • 황의석 / 서울특별시 서초구 서운로 ***, ***동 ****호(서초동, 롯데캐슬클래식아파트)
  • 남정현 / 경기도 수원시 장안구 율전로**번길 **-*, ***호(율전동)
  • 정진호 / 경기도 수원시 장안구 서부로 ****, 성균관대학교 봉룡학사 지관 ***호(천천동)
출원인 / 주소
  • 성균관대학교산학협력단 / 경기도 수원시 장안구 서부로 **** (천천동, 성균관대학교내)
대리인 / 주소
  • 박상열; 박종수; 남건필; 차상윤; 정우상; 최내윤
심사청구여부 있음 (2022-02-23)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

방열 및 전자파 차폐 복합 소재 및 이의 제조 방법이 개시된다. 상기 방열 및 전자파 차폐 복합 소재는 육방정계 질화 붕소(hexagonal boron nitride; h-BN) 및 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT)를 포함할 수 있다. 상기 제조 방법은 CNT 및 h-BN를 혼합하여 충진재를 제조하는 제1 단계; 및 상기 충진재를 분산매에 분산하여 복합 소재를 제조하는 제2 단계;를 포함할 수 있다.

대표청구항

고분자 매트릭스; 및상기 고분자 매트릭스 내부에 분산된 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT) 및 육방정계 질화 붕소(hexagonal boron nitride; h-BN)를 포함하되,8 GHz 이상 내지 12.5 GHz 이하에서, 주파수가 증가함에 따라 전자파 차폐(electromagnetic interference shielding)가 증가하는 것을 포함하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 방열 및 전자파 차폐/흡수능을 가지는 다기능성 복합 필름 및 이의 제조방법 | 좌용호, 김종렬, 송요셉, 조홍백, 이상복, 정병문, 김민열, 임민섭
  2. [한국] 비산화 그래핀 및 육방정계 질화 붕소를 포함한 열전도성 시트 | 배경정, 최설화, 배지환
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