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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-0028000 (2022-03-04) | |
공개번호 | 10-2023-0130868 (2023-09-12) | |
등록번호 | 10-2649454-0000 (2024-03-15) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020220028000 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-03-04) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 rGO-Cu2S 상대전극과 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로: 그래핀 산화물(GO) 및 Cu2+의 동시 환원을 초래하는 1-단계의 전기화학적 공-환원 공정에 이은 황화 공정에 의해, 환원된 그래핀 산화물(rGO)-Cu2S를 형성하는 상대전극 제조방법을 제공한다.
그래핀 산화물(GO) 및 Cu2+의 동시 환원을 초래하는 1-단계의 전기화학적 공-환원 공정에 이은 황화 공정에 의해, 환원된 그래핀 산화물(rGO)-Cu2S를 형성하고,전기화학적 공-환원 공정은 4 내지 6 사이클의 순환 전압전류법을 이용하여 수행되며,rGO-Cu2S는 36 내지 42 원자%의 Cu, 22 내지 28 원자%의 C, 13 내지 19 원자%의 O, 및 17 내지 23 원자%의 S를 포함하고,rGO-Cu2S의 광학적 밴드 갭은 1.1 내지 1.4 eV인 상대전극 제조방법.
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