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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-0048001 (2022-04-19) | |
공개번호 | 10-2023-0148967 (2023-10-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020220048001 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-04-19) | |
법적상태 | 공개 |
본 발명은 이차전지 음극 소재용 Si/SiC/C 복합 소재의 제조 방법에 관한 것으로, 테트라에틸 오르쏘실리케이트(TEOS) 및 SiC의 탄소 공급원을 TEOS 1ml 기준으로 SiC의 탄소 공급원 0.03 내지 0.35 g 로 혼합하여 구형의 SiC의 탄소 공급원/SiO2 복합 소재를 제조하는 제1단계; SiC의 탄소 공급원/SiO2 복합 소재를 금속 열 환원하여 다공성 구조의 Si/SiC 복합 소재를 제조하는 제2단계; Si/SiC 복합 소재에 폴리도파민을 코팅하여 Si/SiC/PDA 복합 소재를 제조하는 제3단계; 및 Si/S
테트라에틸 오르쏘실리케이트(TEOS) 및 SiC의 탄소 공급원을 TEOS 1ml 기준으로 SiC의 탄소 공급원 0.03 내지 0.35 g 로 혼합하여 구형의 SiC의 탄소 공급원/SiO2 복합 소재를 제조하는 제1단계;SiC의 탄소 공급원/SiO2 복합 소재를 금속 열 환원하여 다공성 구조의 Si/SiC 복합 소재를 제조하는 제2단계;Si/SiC 복합 소재에 폴리도파민을 코팅하여 Si/SiC/PDA 복합 소재를 제조하는 제3단계; 및Si/SiC/PDA 복합 소재를 열 소성하는 제4단계;를 포함하는 이차전지 음극 소재용 다공성 구조의
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