초록 ▼

본 발명은 집적 회로 디바이스(integrated circuit device)에서 상호접속 구조재의 존재하에 확산 방지막으로 질화탄탈륨 또는 탄탈륨의 화학적 기계적 연마(chemical mechanical planarizing, CMP)를 위한 구리 배리어층 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 슬러리 조성물은 연마입자, 헤테로고리화합물, 유기산, 표면보호제, 질소화물, pH 조정제 및 잔량의 탈이온수를 포함하는 것이며, 연마 선택비가 크고 디싱(dishing) 및 결함수(defect)가 적은 우수한 슬러리 조성물

본 발명은 집적 회로 디바이스(integrated circuit device)에서 상호접속 구조재의 존재하에 확산 방지막으로 질화탄탈륨 또는 탄탈륨의 화학적 기계적 연마(chemical mechanical planarizing, CMP)를 위한 구리 배리어층 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 슬러리 조성물은 연마입자, 헤테로고리화합물, 유기산, 표면보호제, 질소화물, pH 조정제 및 잔량의 탈이온수를 포함하는 것이며, 연마 선택비가 크고 디싱(dishing) 및 결함수(defect)가 적은 우수한 슬러리 조성물을 제공하는 효과를 나타내는 것이다.

대표청구항 ▼

입경이 75 내지 95 nm이고 침강이 일어나지 않고 용매에 안정적으로 분산된 콜로이달 실리카인 연마입자 13 내지 15 중량%, 벤조트리아졸(BTA)인 헤테로고리화합물 0.05 내지 0.1 중량%, 질산칼륨(KNO3)인 질소화물 0.5 내지 1 중량%, 아세트산(acetic acid) 0.06 중량% 및 이미노디아세틱 에시드(Iminodiacetic acid, IDA) 0.1 내지 1.0 중량%로 구성되는 유기산 0.16 내지 1.06 중량%, 암모늄 도데실 벤젠 설폰에이트(ammonium dodecyl benzene sulfon

입경이 75 내지 95 nm이고 침강이 일어나지 않고 용매에 안정적으로 분산된 콜로이달 실리카인 연마입자 13 내지 15 중량%, 벤조트리아졸(BTA)인 헤테로고리화합물 0.05 내지 0.1 중량%, 질산칼륨(KNO3)인 질소화물 0.5 내지 1 중량%, 아세트산(acetic acid) 0.06 중량% 및 이미노디아세틱 에시드(Iminodiacetic acid, IDA) 0.1 내지 1.0 중량%로 구성되는 유기산 0.16 내지 1.06 중량%, 암모늄 도데실 벤젠 설폰에이트(ammonium dodecyl benzene sulfonate) 0.05 내지 0.5 중량% 및 폴리비닐알콜(PVA) 0.15 내지 0.3 중량%로 구성되는 표면보호제 0.2 내지 0.8 중량%, 아스코빅산(ascorbic acid)인 산화방지제 0.1 내지 0.5 중량%, 슬러리 조성물의 pH를 9 내지 12로 유지시키는 KOH인 pH 조정제, 및잔량의 탈이온수로 이루어지는 구리 배리어층 연마용 CMP 슬러리 조성물.