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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-0154351 (2022-11-17) | |
등록번호 | 10-2543120-0000 (2023-06-08) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020220154351 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-11-17) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 전(前) 공정에서 발생하는 공정가스 배출용 배관을 히팅하여 고형 파우더 발생을 최소화하기 위한 히팅자켓을 제어, 감시하기 위한 반도체 공정가스 배출 장비에 최적화된 히팅자켓용 제어 시스템을 개시한다. 본 발명은 이를 위하여 결선을 최소화하고 히터에 흐르는 전류를 감지하되, 이상 과전류 발생시 파워스위칭부를 구성하는 복수개의 요소 중 어느 하나의 작동으로 신속한 차단이 가능하여 안전한 운용이 가능하도록 한다. 이에 따라 본 발명은 복수개의 히팅자켓을 배기 배관에 시공함에 있어서, 시공작업 공수가 크게 감소하여 작업성
히터가 내장되어 반도체 공정가스 배기배관의 둘레에 설치되는 히팅자켓;상기 히팅자켓의 외주면에 분산배치되며, 요입구조물이 형성된 거치대; 및저면에 체결편이 형성되어 상기 거치대의 요입구조물에 체결되어 상기 히팅자켓에 착탈방식으로 결합되는 컨트롤 모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정가스 배출 장비에 최적화된 히팅자켓용 제어 시스템.
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