초록 ▼

다양한 실시 예들은 반도체 및 관련 분야에서 사용된 프로세싱 툴에서 복수의 프로세싱 스테이션들을 동시에 세정하기 위해 지향성 플로우 디바이스와 함께 리모트-플라즈마 세정 시스템을 사용하기 위한 장치들, 시스템들, 및 방법들을 포함한다.일 예에서, 멀티-스테이션 프로세스 챔버에서 RPC (remote-plasma clean) 를 수행하도록 사용된 장치가 개시되고 RPC 반응기와 프로세스 챔버 사이에 커플링될 RPC 지향성 플로우 디바이스를 포함한다.RPC 지향성 플로우 디바이스는 RPC 반응기에 의해 생성된 적어도 라디칼 종을 프로세

다양한 실시 예들은 반도체 및 관련 분야에서 사용된 프로세싱 툴에서 복수의 프로세싱 스테이션들을 동시에 세정하기 위해 지향성 플로우 디바이스와 함께 리모트-플라즈마 세정 시스템을 사용하기 위한 장치들, 시스템들, 및 방법들을 포함한다.일 예에서, 멀티-스테이션 프로세스 챔버에서 RPC (remote-plasma clean) 를 수행하도록 사용된 장치가 개시되고 RPC 반응기와 프로세스 챔버 사이에 커플링될 RPC 지향성 플로우 디바이스를 포함한다.RPC 지향성 플로우 디바이스는 RPC 반응기에 의해 생성된 적어도 라디칼 종을 프로세싱 스테이션들의 개별 스테이션으로 지향시키기 위해 다수의 램핑된 가스 전환 영역들을 포함한다.인입 세정 가스 전환 허브는 라디칼 종을 수용하고 적어도 라디칼 종을 램핑된 가스 전환 영역들 각각에 실질적으로 균일하게 분배하기 위한 것이다.다른 장치들, 시스템들, 및 방법들이 개시된다.

대표청구항 ▼

반도체 프로세싱에 사용하기 위한 장치에 있어서,리모트-플라즈마 반응기와 복수의 프로세싱 스테이션들을 갖는 멀티-스테이션 프로세스 챔버 사이에 커플링되도록 구성되는 리모트-플라즈마 지향성 플로우 디바이스로서, 상기 리모트-플라즈마 지향성 플로우 디바이스는,복수의 램핑된 가스 전환 영역들 (ramped gas-diversion areas) 로서, 상기 복수의 램핑된 가스 전환 영역들 각각의 영역들은 상기 리모트 플라즈마 반응기에 의해 생성된 적어도 라디칼 종들을 상기 멀티-스테이션 프로세스 챔버 내의 상기 복수의 프로세싱 스테이션들 중

반도체 프로세싱에 사용하기 위한 장치에 있어서,리모트-플라즈마 반응기와 복수의 프로세싱 스테이션들을 갖는 멀티-스테이션 프로세스 챔버 사이에 커플링되도록 구성되는 리모트-플라즈마 지향성 플로우 디바이스로서, 상기 리모트-플라즈마 지향성 플로우 디바이스는,복수의 램핑된 가스 전환 영역들 (ramped gas-diversion areas) 로서, 상기 복수의 램핑된 가스 전환 영역들 각각의 영역들은 상기 리모트 플라즈마 반응기에 의해 생성된 적어도 라디칼 종들을 상기 멀티-스테이션 프로세스 챔버 내의 상기 복수의 프로세싱 스테이션들 중 분리된 스테이션으로 지향시키도록 구성되고, 상기 복수의 램핑된 가스 전환 영역들의 수는 상기 복수의 프로세싱 스테이션들의 수 이상인, 상기 복수의 램핑된 가스 전환 영역들; 및상기 리모트 플라즈마 반응기로부터 적어도 상기 라디칼 종들을 수용하고 상기 복수의 램핑된 가스 전환 영역들 각각에 적어도 상기 라디칼 종을 실질적으로 균일하게 분배하도록 구성된 인입 가스 전환 허브 (incoming gas diversion hub) 를 포함하고,상기 복수의 램핑된 가스 전환 영역들 각각은 상기 인입 가스 전환 허브에 연결된 제 1 섹션 및 상기 제 1 섹션의 말단에 연결된 제 2 섹션을 포함하고, 상기 제 1 섹션은 비선형 프로파일에서 하향으로 경사지고, 상기 제 2 섹션은 선형 프로파일에서 하향으로 경사지는, 반도체 프로세싱 장치.