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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-7020622 (2022-06-16) | |
공개번호 | 10-2022-0111283 (2022-08-09) | |
우선권정보 | 중국(CN) 201911310399.2 (2019-12-18) | |
국제출원번호 | PCT/CN2020/134346 (2020-12-07) | |
국제공개번호 | WO 2021/121066 (2021-06-24) | |
번역문제출일자 | 2022-06-16 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020227020622 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-06-16) | |
법적상태 | 공개 |
본 발명은 양극 재료 및 이의 제조 방법과 응용을 개시하고, 상기 양극 재료의 일반식은 LiaNi1-x-y-zCoxMnyAlzMbO2이되, 1.04≤a≤1.08, 0.04≤x≤0.08, 0.025≤y≤0.06, 0.03≤z≤0.09, 0.015≤b≤0.06이고, M은 B와, Zr, Al, Ti, Mg, Na, Ca, Nb, Ba, Si, P, W, 및 Sr로부터 선택된 적어도 하나를 포함한다. 상기 양극 재료에는 기존의 니켈-코발트-망간-알루미늄 양극 재료에 비해 M 이온이 도핑되어 있으므로, M 이온의 도핑을 통해 2가 니켈 이온
양극 재료로서,일반식은 LiaNi1-x-y-zCoxMnyAlzMbO2이되, 1.04≤a≤1.08, 0.04≤x≤0.08, 0.025≤y≤0.06, 0.03≤z≤0.09, 0.015≤b≤0.06이고, M은 B와, Zr, Al, Ti, Mg, Na, Ca, Nb, Ba, Si, P, W, 및 Sr로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 재료.
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