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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2022-7027073 (2022-08-04) | |
공개번호 | 10-2022-0114105 (2022-08-17) | |
등록번호 | 10-2570744-0000 (2023-08-22) | |
우선권정보 | 미국(US) 15/280,049 (2016-09-29) | |
국제출원번호 | PCT/US2017/051393 (2017-09-13) | |
국제공개번호 | WO 2018/063804 (2018-04-05) | |
번역문제출일자 | 2022-08-04 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020227027073 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2022-09-05) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
실리콘 옥사이드 층이 약 200 ℃보다 낮은 온도에서 PECVD에 의해 반도체 기판 상에 증착되고 약 80 MPa보다 낮은 절대 값으로 증착된 층의 응력을 감소시키기 위해 헬륨 플라즈마로 처리된다.플라즈마 처리는 실리콘 옥사이드 층 내 수소 함량을 감소시키고, 또한 고 밀도 및 저 거칠기를 가질 수 있는 저 응력 막들을 야기한다.일부 실시예들에서, 이 막은 250 ℃보다 높은 온도를 견딜 수 없는 유기 재료 또는 스핀-온 유전체의 층들과 같은 하나 이상의 온도-민감 층들을 포함하는 반도체 기판 상에 증착된다.일부 실시예들에서, 상기
반도체 기판을 프로세싱하는 방법에 있어서, (a) 프로세스 챔버에 반도체 기판을 제공하는 단계;(b) 200 ℃보다 낮은 온도에서 상기 반도체 기판 상에 실리콘 옥사이드 층을 증착하는 단계로서, 상기 증착하는 단계는 실란 (SiH4) 및 산소-함유 반응물질을 상기 프로세스 챔버 내로 흘리는 단계 및 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하는, 상기 증착하는 단계;(c) 증착 후에 실란 (SiH4) 의 플로우를 중단시키는 단계; 및(d) 상기 증착된 층을 개질하고 (modify) 상기 증착된 층의 응력을 감소시키기 위해 200 ℃보다 낮은
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