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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2023-7001454 (2023-01-12) | |
공개번호 | 10-2023-0041688 (2023-03-24) | |
우선권정보 | 미국(US) 62/705,335 (2020-06-22) | |
국제출원번호 | PCT/US2021/034019 (2021-05-25) | |
국제공개번호 | WO 2021/262371 (2021-12-30) | |
번역문제출일자 | 2023-01-12 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020237001454 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
본 명세서에 기술된 기법들은 기판과 금속-함유 포토레지스트 (photoresist) 사이의 접착을 촉진하기 위한 방법들, 장치, 및 시스템들에 관한 것이다.예를 들어, 방법은 반응 챔버 내에 기판을 수용할 수도 있고, 기판은 표면 상에 노출된 제 1 재료를 갖고, 제 1 재료는 실리콘-기반 재료 및/또는 탄소-기반 재료를 포함하는, 기판 제공 단계; 실질적으로 실리콘이 없는 플라즈마 생성 가스 소스로부터 플라즈마를 생성하는 단계로서, 플라즈마는 화학적 작용기들을 포함하는, 플라즈마 생성 단계; 제 1 재료와 플라즈마로부터의 화학적
기판과 금속-함유 포토레지스트 (photoresist) 사이의 접착을 촉진하는 방법에 있어서,(a) 제 1 재료를 포함하는 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계로서, 상기 제 1 재료는 실리콘-기반 재료 및/또는 탄소-기반 재료를 포함하는, 상기 기판 제공 단계;(b) 플라즈마 생성 가스 소스로부터 플라즈마를 생성하는 단계로서, 상기 플라즈마 생성 가스 소스는 실질적으로 실리콘이 없고, 그리고 상기 플라즈마는 화학적 작용기들을 포함하는, 상기 플라즈마 생성 단계; (c) 상기 제 1 재료와 상기 플라즈마로부터의 화학적 작용기들 사이에
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