최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2023-7003593 (2023-01-31) | |
공개번호 | 10-2023-0048008 (2023-04-10) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2020-133535 (2020-08-06);일본(JP) JP-P-2021-043094 (2021-03-17) | |
국제출원번호 | PCT/JP2021/023252 (2021-06-18) | |
국제공개번호 | WO 2022/030114 (2022-02-10) | |
번역문제출일자 | 2023-01-31 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020237003593 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
법적상태 | 공개 |
본 발명은, 적어도, 기체와, 버퍼층과, 적어도 1종의 금속원소를 포함하며 커런덤구조를 갖는 결정성 금속산화물 반도체막을 포함하고, 상기 기체의 주표면의 위에 직접 또는 다른 층을 개재하여 상기 버퍼층을 갖고, 상기 버퍼층의 위에 상기 결정성 금속산화물 반도체막을 갖는 반도체 적층체로서, 상기 버퍼층은, 조성이 각각 상이한 복수의 버퍼막의 적층구조체이고, 상기 복수의 버퍼막 중 적어도 2층의 버퍼막의 막두께가, 200nm 이상 650nm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 적층체이다.이에 따라, 헤테로에피택셜 성장에 의해 형성되는 경
적어도, 기체와, 버퍼층과, 적어도 1종의 금속원소를 포함하며 커런덤구조를 갖는 결정성 금속산화물 반도체막을 포함하고,상기 기체의 주표면의 위에 직접 또는 다른 층을 개재하여 상기 버퍼층을 갖고, 상기 버퍼층의 위에 상기 결정성 금속산화물 반도체막을 갖는 반도체 적층체로서,상기 버퍼층은, 조성이 각각 상이한 복수의 버퍼막의 적층구조체이고,상기 복수의 버퍼막 중 적어도 2층의 버퍼막의 막두께가, 200nm 이상 650nm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 적층체.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.