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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2023-7009981 (2023-03-23) | |
공개번호 | 10-2023-0047202 (2023-04-06) | |
등록번호 | 10-2693192-0000 (2024-08-05) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2011-217897 (2011-09-30) | |
국제출원번호 | PCT/JP2012/074815 (2012-09-20) | |
국제공개번호 | WO 2013/047630 (2013-04-04) | |
번역문제출일자 | 2023-03-23 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020237009981 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2023-04-20) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
그래핀의 형성 방법은, 산화 그래핀을 포함하는 층을 제 1 도전층 위에 형성하는 단계; 및 작용 전극인 제1 도전층과 대향 전극인 제2 도전층이 침지되어 있는 전해질 내에서 산화 그래핀의 환원 반응이 발생하는 전위를 제1 도전층에 공급하는 단계를 포함한다.적어도 양극, 음극, 전해질 및 세퍼레이터를 포함하는 축전 장치의 제작 방법은, 양극 및 음극의 한쪽 또는 양쪽의 활성 물질층을 위한 그래핀을 상기 형성 방법에 의해 형성하는 단계를 포함한다.
음극을 포함하는 리튬-이온 이차 전지로서,상기 음극은제1 음극 활성 물질 입자;제2 음극 활성 물질 입자; 및그래핀을 포함하고,상기 제1 음극 활성 물질 입자 및 상기 제2 음극 활성 물질 입자는 각각 실리콘을 포함하는 화합물을 포함하고,상기 그래핀의 X선 광전자 분광법에서, 탄소 원자의 비율은 80% 이상 90% 이하이고,상기 그래핀의 X선 광전자 분광법에서, 산소 원자의 비율은 10% 이상 20% 이하이고,상기 그래핀의 X선 광전자 분광법에 의해 측정되는 상기 탄소 원자 중 sp2-결합된 탄소 원자의 비율은 60% 이상 80%
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