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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2023-7011284 (2023-04-03) | |
공개번호 | 10-2023-0051603 (2023-04-18) | |
등록번호 | 10-2605202-0000 (2023-11-20) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2021-098707 (2021-06-14) | |
국제출원번호 | PCT/JP2022/022886 (2022-06-07) | |
국제공개번호 | WO 2022/264869 (2022-12-22) | |
번역문제출일자 | 2023-04-03 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020237011284 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2023-04-03) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은, 잔사(특히 CMP 후의 잔사)의 제거성이 우수하고, 구리의 방식성이 우수한 세정 조성물의 제공, 및, 반도체 기판의 세정 방법, 및, 반도체 소자의 제조 방법의 제공을 과제로 한다. 본 발명의 세정 조성물은, 시트르산과, 1-하이드록시에테인-1,1-다이포스폰산과, 설폰산계 계면활성제와, 물을 포함하고, 1-하이드록시에테인-1,1-다이포스폰산의 함유량에 대한 시트르산의 함유량의 질량비가 20~150이며, 설폰산계 계면활성제의 함유량에 대한 시트르산의 함유량의 질량비가 70~1500이고, pH가 0.10~4.00이다.
시트르산과,1-하이드록시에테인-1,1-다이포스폰산과,설폰산계 계면활성제와,물을 포함하고,상기 1-하이드록시에테인-1,1-다이포스폰산의 함유량에 대한 상기 시트르산의 함유량의 질량비가 20~150이며,상기 설폰산계 계면활성제의 함유량에 대한 상기 시트르산의 함유량의 질량비가 70~1500이고,pH가 0.10~3,00인, 세정 조성물.
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