초록 ▼

본 발명에서는, 용액법으로 SiC 단결정을 제조할 때, Si-C 용액의 수용부로서 사용하는 도가니로서, SiC를 주성분으로 하는 산소 함유량이 100ppm 이하인 도가니를 사용한다.또한, 다른 형태에서는, Si-C 용액의 수용부로서의 도가니 내에 SiC를 주성분으로 하는 산소 함유량이 100ppm 이하인 소결체를 수용한다.이러한 SiC 도가니나 SiC 소결체는, 산소 함유량이 2000ppm 이하인 SiC 원료 분말을 성형ㆍ소성시켜 얻어진다.이들 주성분인 SiC는 Si 및 C의 원이 되고, 가열에 의해 Si-C 용액 중에 Si 및 C

본 발명에서는, 용액법으로 SiC 단결정을 제조할 때, Si-C 용액의 수용부로서 사용하는 도가니로서, SiC를 주성분으로 하는 산소 함유량이 100ppm 이하인 도가니를 사용한다.또한, 다른 형태에서는, Si-C 용액의 수용부로서의 도가니 내에 SiC를 주성분으로 하는 산소 함유량이 100ppm 이하인 소결체를 수용한다.이러한 SiC 도가니나 SiC 소결체는, 산소 함유량이 2000ppm 이하인 SiC 원료 분말을 성형ㆍ소성시켜 얻어진다.이들 주성분인 SiC는 Si 및 C의 원이 되고, 가열에 의해 Si-C 용액 중에 Si 및 C가 용출되지만, 산소 함유량이 100ppm 이하이기 때문에 Si-C 용액 중에서의 가스 발생이 억제된다.그 결과, 저결함이며 고품질인 SiC 단결정을 장시간에 걸쳐 안정적으로 제조하는 것이 가능해진다.

대표청구항

용액법에 의한 SiC 단결정의 제조 방법으로서,SiC 원료 분말을 불산 처리한 후, 당해 SiC 원료 분말을 소성함으로써, 산소 함유량이 100ppm 이하인 도가니를 준비하고,Si-C 용액의 수용부로서 상기 도가니를 사용하고,상기 도가니를 가열하여, 상기 Si-C 용액과 접촉하는 도가니 표면의 고온 영역으로부터 Si 및 C를 상기 Si-C 용액 중에 용출시키고,상기 도가니의 상부로부터, 상기 Si-C 용액에 SiC 종결정을 접촉시켜, 해당 SiC 종결정 상에 SiC 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.

용액법에 의한 SiC 단결정의 제조 방법으로서,SiC 원료 분말을 불산 처리한 후, 당해 SiC 원료 분말을 소성함으로써, 산소 함유량이 100ppm 이하인 도가니를 준비하고,Si-C 용액의 수용부로서 상기 도가니를 사용하고,상기 도가니를 가열하여, 상기 Si-C 용액과 접촉하는 도가니 표면의 고온 영역으로부터 Si 및 C를 상기 Si-C 용액 중에 용출시키고,상기 도가니의 상부로부터, 상기 Si-C 용액에 SiC 종결정을 접촉시켜, 해당 SiC 종결정 상에 SiC 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정의 제조 방법.