최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
DataON 바로가기다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
Edison 바로가기다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
Kafe 바로가기주관연구기관 | (주)포스코 POSCO |
---|---|
연구책임자 | 전명철 |
참여연구자 | 구갑렬 , 황일두 , 은태희 , 남옥현 , 서원선 , 이원재 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-03 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO202200006189 |
과제고유번호 | 1415161681 |
사업명 | 소재부품기술개발(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-08-19 |
키워드 | 초고순도 탄화규소 분말.초고순도 실리카 및 탄소.고순도 반응 소결/가압소결 SiC.가공.단결정 성장.웨이퍼 가공.탄화규소에피 웨이퍼.전력소자. |
3. 개발결과 요약
□ 최종목표
○ 150mm급 LED/LD, 에너지반도체용 SiC 단결정 웨이퍼 개발
1) 광반도체용 (6H-SiC)
- 동공결함농도 : < 100/cm2
- 전위결함농도: < 50,000/cm2,
- Bow/Warp: < 40 μm
- 표면거칠기: < 0.5 nm
2) 전자소자용 (4H-SiC)
- 동공결함농도: < 1/cm2
- 전위결함농도: < 5,000/cm2,
- Bow
3. 개발결과 요약
□ 최종목표
○ 150mm급 LED/LD, 에너지반도체용 SiC 단결정 웨이퍼 개발
1) 광반도체용 (6H-SiC)
- 동공결함농도 : < 100/cm2
- 전위결함농도: < 50,000/cm2,
- Bow/Warp: < 40 μm
- 표면거칠기: < 0.5 nm
2) 전자소자용 (4H-SiC)
- 동공결함농도: < 1/cm2
- 전위결함농도: < 5,000/cm2,
- Bow/Warp: < 20 μm
- 표면거칠기: < 0.15 nm
□ 개발내용 및 결과
○ 고순도 원료 분말을 이용하여 대구경 SiC 단결정을 성장하고 이를 가공하여 Epi-ready 웨이퍼를 제조 하는 기술.
○ PVT법은 고온, 저압에서 고순도의 SiC 분말을 승화시켜 상대적으로 저온 영역에 위치한 종자정(Seed Crystal)위에 응축하게 하여 결정을 성장 시키는 방법.
○ PVT법으로 제조된 기판은 다양한 종류의 결정결함을 가지며 반응기 설계를 통한 Hotzone 최적화, Seed 품질 관리, 성장 공정 최적화등 결함저감을 위한 기술 개발이 필요.
○ 소자 제작을 위해 Epi-ready 기판으로 가공 공정 개발. 외경 연삭, Slicing, Edge 가공, DMP, CMP, 세정 등 여러 공정 개발이 필요하며, 제조된 기판은 휨, 표면의 Scratch와 particle이 최소화해야함.
□ 기술개발 배경
○ SiC 소재는 Si보다 절연파괴강도가 10배, 열전도도가 3배 크고 청색발광체로 열과 화학적으로 안정하므로 Si 소자의 한계를 넘는 high power, 고온동작 내환경 디바이스 및 청색발광 다이오드로 응용이 기대되어 폭발적인 시장 잠재성이 있음.
○ 현재 SiC웨이퍼를 이용한 소자의 주요 응용분야는 LED/LD기판용으로 사용되는 Optoelectronics 분야, 전력소자 분야, 고주파소자 분야 등으로 구성되어 있음.
○ 그린 전력반도체 재료로서 SiC 재료는 뛰어난 반도체 물성으로 대폭적인 에너지 절감이 가능하여 친환경 자동차(전기자동차, 하이브리드카 등), 신재생 에너지 컨버터로 SiC반도체가 사용될 가능성이 높아 미래 핵심기술로 신규시장 형성이 크게 이루어질 가능성이 높을 뿐 아니라 기술적, 경제적, 산업적 측면에서의 중요성이 매우 높음.
□ 핵심개발 기술의 의의
○ SiC 단결정 기판의 개발 및 기반기술 확보는 SiC 반도체 소자를 이용한 새로운 응용분야의 개척을 의미하며, 기존 반도체소자가 달성할 수 없는 한계를 극복할 수 있다는 점에서 미래기술의 핵심임.
○ SiC 단결정 기판의 개발 및 기반기술 확보는 SiC를 이용한 신제품개발에 가장 중요한 요소이며, 미래 관련기술을 선도할 수 있는 핵심 기술임.
□ 적용 분야
○ LED/LD 및 에너지 반도체용 소자구현을 위한 기판소재
○ 전기자동차, 하이브리드카 등의 전력소자, 태양광소자의 에너지 변환소자, 에너지 절약이 요구되는 다양한 전자제품 용 전력소자, LED/LD소자 및 고주파 소자용 기판 소재
(출처 : 기술개발사업 최종보고서 초록 6p)
과제명(ProjectTitle) : | - |
---|---|
연구책임자(Manager) : | - |
과제기간(DetailSeriesProject) : | - |
총연구비 (DetailSeriesProject) : | - |
키워드(keyword) : | - |
과제수행기간(LeadAgency) : | - |
연구목표(Goal) : | - |
연구내용(Abstract) : | - |
기대효과(Effect) : | - |
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.