초록 ▼

촬상소자는, 제1 전극(11), 광전변환층(13) 및 제2 전극(12)이 적층되어 이루어지는 광전변환부를 구비하고 있고, 광전변환부는, 또한, 제1 전극(11)과 이간하여 배치되고, 또한, 절연층(82)을 통하여 광전변환층(13)과 대향하여 배치된 전하 축적용 전극(14)을 구비하고 있고, 광전변환층(13)에 광이 입사하여 광전변환층(13)에서 광전변환이 생길 때, 전하 축적용 전극(14)에 대향하는 광전변환층(13)의 부분(13C)에 가하여지는 전위의 절대치는, 인접하는 촬상소자의 사이에 위치하는 광전변환층(13)의 영역(13B)

촬상소자는, 제1 전극(11), 광전변환층(13) 및 제2 전극(12)이 적층되어 이루어지는 광전변환부를 구비하고 있고, 광전변환부는, 또한, 제1 전극(11)과 이간하여 배치되고, 또한, 절연층(82)을 통하여 광전변환층(13)과 대향하여 배치된 전하 축적용 전극(14)을 구비하고 있고, 광전변환층(13)에 광이 입사하여 광전변환층(13)에서 광전변환이 생길 때, 전하 축적용 전극(14)에 대향하는 광전변환층(13)의 부분(13C)에 가하여지는 전위의 절대치는, 인접하는 촬상소자의 사이에 위치하는 광전변환층(13)의 영역(13B)에 가하여지는 전위의 절대치보다도 큰 값이다.

대표청구항 ▼

제1 전극, 광전 변환층, 및 제2 전극을 포함하는 광전 변환부를 포함하고,상기 광전 변환층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고,상기 광전 변환부는 상기 제1 전극과 이격되어 절연층을 통해 상기 광전 변환층과 대향하도록 배치된 전하 축적 전극을 더 포함하고,광검출 소자와 인접하는 광검출 소자 사이에 위치하는 상기 광전 변환층의 영역과 상기 절연층을 통해 대향하는 영역에 배치된 전하 이동 제어 전극을 포함하고,상기 제1 전극은 상기 광검출 소자와 상기 인접하는 광검출 소자에 의해 공유되는 것을 특징으로 하는 광검출 소

제1 전극, 광전 변환층, 및 제2 전극을 포함하는 광전 변환부를 포함하고,상기 광전 변환층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고,상기 광전 변환부는 상기 제1 전극과 이격되어 절연층을 통해 상기 광전 변환층과 대향하도록 배치된 전하 축적 전극을 더 포함하고,광검출 소자와 인접하는 광검출 소자 사이에 위치하는 상기 광전 변환층의 영역과 상기 절연층을 통해 대향하는 영역에 배치된 전하 이동 제어 전극을 포함하고,상기 제1 전극은 상기 광검출 소자와 상기 인접하는 광검출 소자에 의해 공유되는 것을 특징으로 하는 광검출 소자.