초록 ▼

다양한 실시예들은 기존 플라즈마 기반 프로세싱 시스템의 정전 척 (electrostatic chuck; ESC) 으로 개장할 장치를 포함한다.장치는 플라즈마 기반 프로세싱 시스템의 동작 동안, 튜브 어댑터 부분 내 고전압 전극들과 튜브 어댑터 부분의 메인 바디 사이에 아킹을 방지하도록 튜브 어댑터 부분의 내측 표면 상에 형성된 유전체 코팅, 내부에 봉지될 (enclosed) 고전압 전극들을 갖는 다수의 절연 튜브들, 및 아킹을 방지하기 위해 복수의 절연 튜브들 중 바깥쪽 절연 튜브에 근접한 튜브 어댑터 부분의 확대된 갭 부분을 갖는

다양한 실시예들은 기존 플라즈마 기반 프로세싱 시스템의 정전 척 (electrostatic chuck; ESC) 으로 개장할 장치를 포함한다.장치는 플라즈마 기반 프로세싱 시스템의 동작 동안, 튜브 어댑터 부분 내 고전압 전극들과 튜브 어댑터 부분의 메인 바디 사이에 아킹을 방지하도록 튜브 어댑터 부분의 내측 표면 상에 형성된 유전체 코팅, 내부에 봉지될 (enclosed) 고전압 전극들을 갖는 다수의 절연 튜브들, 및 아킹을 방지하기 위해 복수의 절연 튜브들 중 바깥쪽 절연 튜브에 근접한 튜브 어댑터 부분의 확대된 갭 부분을 갖는 튜브 어댑터를 포함한다.ESC를 형성하는 다른 방법들, 디바이스들, 장치들, 및 시스템들이 개시된다.

대표청구항 ▼

정전 척 (electrostatic chuck; ESC) 어셈블리에 있어서, 기판을 지지하도록 구성된 상단 플레이트; 페데스탈; 및 플라즈마 기반 프로세싱 시스템의 동작 동안 튜브 어댑터 내에서 아킹 (arcing) 을 방지하도록 구성된 상기 튜브 어댑터의 내측 표면의 일부 상에 형성된 유전체 코팅을 포함하는, 상기 튜브 어댑터를 포함하고, 상기 유전체 코팅은 상기 튜브 어댑터가 동작하는 열적 분위기의 변화들로 인한 입자 쉐딩 (particle shedding) 을 방지하도록 선택되는 열 팽창 계수 (coefficient-of-th

정전 척 (electrostatic chuck; ESC) 어셈블리에 있어서, 기판을 지지하도록 구성된 상단 플레이트; 페데스탈; 및 플라즈마 기반 프로세싱 시스템의 동작 동안 튜브 어댑터 내에서 아킹 (arcing) 을 방지하도록 구성된 상기 튜브 어댑터의 내측 표면의 일부 상에 형성된 유전체 코팅을 포함하는, 상기 튜브 어댑터를 포함하고, 상기 유전체 코팅은 상기 튜브 어댑터가 동작하는 열적 분위기의 변화들로 인한 입자 쉐딩 (particle shedding) 을 방지하도록 선택되는 열 팽창 계수 (coefficient-of-thermal-expansion; CTE) 를 갖는, 정전 척 (ESC) 어셈블리.