초록

본 고안은 반도체 산화막 증착장비의 샤워헤드구조에 관한 것으로, 종래에는 공급되는 공정가스가 배출되며 웨이퍼의 중앙부 보다 가장자리에 많은 증착이 이루어져 증착막의 두께 균일도를 저하시키는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 산화막 증착장비의 샤워헤드구조는 몸체(11)에 형성되어 있는 다수개의 가스분사공(12)을 중앙부를 향하도록 하향경사지게 형성하여, 웨이퍼의 중앙부에 많이 공급된 가스중 일부가 배출되며 웨이퍼의 가장자리에 증착되도록 함으로서, 전체적인 증착막의 두께가 균일하게 형성되어 두께 균일도를 향상시키는 효과가 있다.

대표청구항

몸체와, 그 몸체에 형성되어 있는 다수개의 가스분사공으로 구성되어 있는 반도체 산화막 증착장비의 샤워헤드에 있어서, 상기 가스분사공들이 중앙을 향하도록 하향 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 산화막 증착장비의 샤워헤드구조.

몸체와, 그 몸체에 형성되어 있는 다수개의 가스분사공으로 구성되어 있는 반도체 산화막 증착장비의 샤워헤드에 있어서, 상기 가스분사공들이 중앙을 향하도록 하향 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 산화막 증착장비의 샤워헤드구조.