초록 ▼

본 고안은 반도체 웨이퍼 증착장비의 샤워헤드에 관한 것으로, 종래에는 샤워헤드에서 챔버의 내측으로 원할한 가스공급이 이루어지지 못하여 공정지연의 주요인이 되는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 웨이퍼 증착장비의 샤워헤드는 하판(14)에 형성되는 가스분사공(14a)들을 공정가스의 플로우방향으로 경사지도록 형성하고, 가스주입관(11)으로 주입된 공정가스가 가스분산판(15)에서 분산되어 플로우되며 하판(14)에 형성되어 있는 가스분사공(14a)들을 통하여 챔버의 내측으로 유입되도록 함으로서, 종래보다 공정가스가 챔버의 내측으로 원할하게

본 고안은 반도체 웨이퍼 증착장비의 샤워헤드에 관한 것으로, 종래에는 샤워헤드에서 챔버의 내측으로 원할한 가스공급이 이루어지지 못하여 공정지연의 주요인이 되는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 웨이퍼 증착장비의 샤워헤드는 하판(14)에 형성되는 가스분사공(14a)들을 공정가스의 플로우방향으로 경사지도록 형성하고, 가스주입관(11)으로 주입된 공정가스가 가스분산판(15)에서 분산되어 플로우되며 하판(14)에 형성되어 있는 가스분사공(14a)들을 통하여 챔버의 내측으로 유입되도록 함으로서, 종래보다 공정가스가 챔버의 내측으로 원할하게 유입되게 되고, 따라서 공정시간의 단축에 따른 생산성향상의 효과가 있다.

대표청구항

가스주입관의 하단부에 하측이 개방된 원통형의 상판이 연결설치되어 있고, 그 상판의 하단부에 다수개의 가스분사공이 형성된 하판이 설치되어 있으며, 상기 상판과 하판 사이의 공간부 내측에 가스분산판이 설치되어 있는 반도체 웨이퍼 증착장비의 샤워헤드에 있어서, 상기 가스분사공들은 가스분산판에 의하여 분산되어 플로우되는 가스플로우방향으로 경사지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 증착장비의 샤워헤드.

가스주입관의 하단부에 하측이 개방된 원통형의 상판이 연결설치되어 있고, 그 상판의 하단부에 다수개의 가스분사공이 형성된 하판이 설치되어 있으며, 상기 상판과 하판 사이의 공간부 내측에 가스분산판이 설치되어 있는 반도체 웨이퍼 증착장비의 샤워헤드에 있어서, 상기 가스분사공들은 가스분산판에 의하여 분산되어 플로우되는 가스플로우방향으로 경사지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 증착장비의 샤워헤드.